希玛科技联合TSC带来沟槽式肖特基产品

上网时间: 2013年07月16日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:沟槽式肖特基产品? TSC? 希玛科技?

希玛科技(SIGMA TECHNOLOGY)作为亚洲高速成长的电子元器件专业分销商,近日又与半导体大厂台湾半导体(TSC)强强联手,希玛科技将做为TSC在中国区的一级代理商负责其全线产品的分销业务。

所以今天给大家带来关于TSC TRENCH SKY PRODUCT(沟槽式萧特基产品)的技术介绍。希玛科技丰富了TSC代理线配合自行开发的“智慧分销”体系,为客户提供更广更全面的产品线。下面是介绍正文:

TSC TRENCH SKY PRODUCT(沟槽式萧特基产品)

特色:

1.TSC 自有沟槽式技术专利

2.TSC 自有EPI技术与萧特基屏障金属成分配方

3.沟槽式比平面式萧特基的特点为 :

平面式萧特基的表面电场最强, 当电场最强时表面的漏电效应就变大, 需要特殊的萧特基屏障金属降低表面反向漏电流; 沟槽式萧特基的电场效应最强为沟槽底部, 也就是在芯片的中央位置降低表面反向漏电流的可能性。示意图如下 :

希玛科技联合TSC带来沟槽式肖特基产品_《国际电子商情》_1

沟槽式与SBR (super barrier rectifier) 比较的特点为 :

SBR因为需要较大的屏障区(depletion region) , 在相同电性规格下, 需要较大的新片尺寸。

且TSC沟槽式有氧化层的保护比SBR更能实现反向高压的需求, SBR的结构缺乏氧化层的保护,大的屏障区较难实现高反向电压。

希玛科技联合TSC带来沟槽式肖特基产品_《国际电子商情》_2

希玛科技联合TSC带来沟槽式肖特基产品_ESMCOL_3?我想了解更多

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4.电性的特点比较 , 与SBR(Super Barrier Rectifier)在相同的芯片尺寸下: 正向特性为 VF较低,反向为回复速度快;反向回复濂波振福较小, 对效率提申大有帮助。

此技术可以广泛应用于以下领域:

PC Power(电源), Sever Power (服务器), Adaptor(充电器)for TV, NoteBook, PV diode(太阳能产业), AC to DC SMPS (切换式电源) ,DC/DC converter(直流电压转换器), LED照明

TSC可提供的产品规格广泛,规格平均电流供应3A, 5A, 10A, 15A, 20A, 25A ,30A;崩溃电压分布自45V到200V, 封装形式有DO214AC, DO214AB, DO214AA, TO277A, TS277B, ITO220AB/AC, TO220AB/AC, TO263,ABS ( bridge 5mm*6mm), SOD12。

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