GT推出碳化硅炉新产品线,可提供更高品质的SiC材料

上网时间: 2013年07月15日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:碳化硅炉? SiC生产炉?

GT Advanced Technologies推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品质的半导体SiC晶体块,可最终制成最大直径为100毫米的芯片。 在其初步阶段,SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。

GT的总裁兼首席执行官Tom Gutierrez表示:“GT新推出的SiClone100炉将解决电力电子行业对更高品质SiC材料的需求,这些材料将用于生产先进的高功率及高频设备。 SiClone100为我们的SiC产品蓝图奠定坚实基础,根据蓝图我们预计在未来向客户提供可生产八英寸SiC芯片的完整生产环境,包括配方、热场及耗材。”

GT利用其在晶体生长技术领域深入的专业知识,为正在寻求“从实验室向工厂转化”的客户提供高度可靠及经验证的平台,帮助客户开始量产SiC晶体块。 SiClone100炉装备有最先进的控制系统,通过将炉电子与人机界面(HMI)相结合,实现生长过程的自动化。 SiClone100采用底部灌装设计,从而令热场灌装变得简单。 控制系统为用户带来更大的灵活性,用户可根据需要制定过程配方及控制生产参数,例如温度、剖面、斜度及气流,从而改善持续运行的控制重复性,最终降低制造成本。 GT的现场工程师及支援团队将帮助客户快速启动量产。

本公司继续预计SiC炉的销售情况将仅占其2013历年收入的1%以下,并预计2014年及之后的SiC炉收入情况将会逐步好转,原因是新电力设备有关的设计周期较长。

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