Cadence和台积电签订长期协议,共同开发16纳米FinFET技术

上网时间: 2013年04月10日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:FinFET技术?

Cadence设计系统公司(Cadence Design Systems, Inc.)近日宣布与TSMC签订了一项长期合作协议,共同开发16纳米FinFET技术,以其适用于移动、网络、服务器和FPGA等诸多应用领域。此次合作非常深入,开始于工艺制造的早期阶段,贯穿于设计分析至设计签收,全面有效解决FinFETs设计存在的问题,从而交付能实现超低功耗、超高性能芯片的设计方案。

在16纳米及以下工艺技术下设计开发系统级芯片设计(SoC),只有FinFET 技术才具备功率、性能和面积上(PPA)的独特优势。与平面FET不同,FinFET采用从衬底上生长出垂直的鳍状结构,并在其周围形成环绕栅极,从而提高晶体管速度同时能有效控制漏电。此次,Cadence与TSMC扩大合作范围,为芯片设计师提供卓越的设计架构以及准确的电气特性和寄生模型,以促进先进FinFET技术在移动及各应有领域的广泛应用。

“在从分析到签收的过程中,FinFET器件的精确度要求更高,这就是TSMC与Cadence合作完成此项目的原因,”TSMC设计架构营销部高级主管Suk Lee说道。“通过此次合作,设计师将能够更加放心地使用这项新的工艺技术,从而让我们的共同客户实现功率、性能和市场投放时间方面的目标。”

“若要开发适用于这种复杂、新颖工艺的设计架构,代工厂(Foundries)必须与EDA技术创新者紧密合作,”Cadence芯片实现产品集团(Silicon Realization Group)高级副总裁徐季平说道。“通过与FinFET技术领导者TSMC合作,Cadence将利用独一无二的技术创新和专业知识,为设计师们提供卓越的 FinFET设计能力,将高性能、低功耗产品投放于市场。”

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