恩智浦推出首款采用2mm DFN封装的低饱和电压双晶体管

上网时间: 2013年04月10日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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恩智浦半导体近日推出业内首款双晶体管产品,具有低饱和电压特性,采用2 mm x 2 mm DFN(分立式扁平无引脚)封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市,它们的集电极电压(VCEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

这些超小型双晶体管的集电极电流(IC)最大值可达2 A,能够处理高达3 A的峰值电流。同时,它们的效率极高,具有低至60 mV的超低饱和电压 (PBSS4230PANP),使其针对移动应用具有更低的功耗和更长的电池寿命。采用DFN2020-6封装的全新双晶体管非常适合用于负载和电源开关、智能手机和平板电脑等便携式应用中的电源管理和充电电路、背光装置以及其他空间受限型应用。恩智浦采用DFN2020封装的所有全新低VCEsat双晶体管产品均符合AEC-Q101汽车标准。

恩智浦推出首款采用2mm DFN封装的低饱和电压双晶体管_《国际电子商情》_1

DFN2020-6比标准SO8封装小8倍,具有出色的热功耗能力(Ptot = 1 W)。具有热沉的DFN封装仅0.6mm高,因此可替代SO8或SOT457等许多尺寸较大的晶体管封装。

全新的DFN2020封装类产品丰富了恩智浦的低VCEsat晶体管产品组合,目前已包括36款采用无引脚和标准SMD封装的双晶体管,以及250多种高达500 V和7 A的单晶体管。

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