罗姆无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产

上网时间: 2012年12月27日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:二极管? SiC-MOS模块?

<特点>

1) MOS单体即可保持开关特性不变。无尾电流,开关损耗更低

即使去掉SBD亦可实现与以往产品同等的开关特性。由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流,损耗可降低50%以上,有助于设备更加节能。另外,达到了Si-IGBT无法达到的50kHz以上的开关频率,因此,还可实现外围设备的小型化、轻量化。

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2) 可逆向导通,实现高效同步整流电路

一般Si-IGBT元件无法逆向导通,而SiC-MOSFET可通过体二极管实现常时逆向导通。另外,通过输入栅极信号,还可实现MOSFET的逆向导通,与二极管相比,可实现更低电阻。通过这些逆向导通特性,与二极管整流方式相比,可在1000V以上的范围采用高效同步整流方式的技术。

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3) 成功解决体二极管的通电劣化,通电时间达1000小时以上且无特性劣化

罗姆究明了体二极管通电的缺陷扩大机理,通过工艺、元件结构成功控制了产生劣化的因素。一般产品通电时间超过20小时导通电阻就会大幅增加,但本产品通电时间达1000小时以上导通电阻也不会增大。

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<用语说明>

*体二极管(Body diode)

MOSFET 的结构中,寄生于内部而形成的二极管。逆变器工作时,电流经过此二极管,因此要求具备低VF值和高速恢复特性。

*尾电流(Tail current)

IGBT 中的关断时流过的瞬态电流。因空穴注入的积累时间而产生。此期间内需要较高的漏极电压,因此产生较大的开关损耗。

*IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)

不仅电子,不同的空穴,电流流经而实现低导通电阻的功率晶体管。因空穴注入的积累时间无法高速动作,具有开关损耗较大的问题。

*正向电压(VF :Forward Voltage)

正向电流流经时二极管产生的电压值。数值越小耗电量越小。

*导通电阻

功率元件工作时的电阻值。这是影响功率MOSFET 性能的最重要的参数,数值越小性能越高。

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