TriQuint新推两款封装式低噪声放大器增益模块

上网时间: 2012年12月12日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:TriQuint? 低噪声放大器?

技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出两款封装式低噪声放大器 (LNA) 增益模块-TQP3M9035和TQP3M9038,可在50MHz至4GHz极宽带宽范围内提供经济型的高性能。这两款放大器产品具有极高线性度和极低噪声的特点,非常适用于高性能GSM、WCDMA、CDMA和LTE基站应用。

除了在无线基础设施中实现高性能之外,新的TQP3M9035和TQP3M9038还可用于从中继器和塔式安装放大器到通用电路等需要高线性度、宽带低噪声增益模块的各种系统。

新的TQP3M9035具有+37dBm高三阶交调截取点 (OIP3) 和0.66dB极低噪声、16.5dB增益和在1dB增益压缩(P1dB)射频输出功率为22.5dB。典型使用包括接收器和发射增益模块放大器、中频增益模块放大器和用于极小口径终端 (VSAT) 的中频放大器、以及点对点微波无线电中的第一、第二或第三低噪声放大器。该器件还具有TDD-LTE系统要求的集成式数字关断偏压能力。TQP3M9038的OIP3为+39.5 dBm、噪声系数为2dB、14.9dB的平坦增益响应(500 MHz - 3.5 GHz带宽范围上偏离只有+/-0.3dB)和+21.6dBm的P1dB射频输出功率。

TriQuint使用其高性能E-pHEMT工艺为这两种新器件提供内部匹配。即使器件在极宽频率范围内工作,内部匹配可消除对许多典型外置优化电路的需要。只需要一个外置射频扼流圈以及隔离/旁路电容,操作在一个单一的+5V电源供电。TQP3M9035和TQP3M9038的功耗分别只有110 mA和85mA。两款器件均采用内置有源偏压电路,以便在偏压和温度变化时也能稳定运行。TQP3M9035采用2x2mm DFN封装,TQP3M9038采用3x3mm QFN封装;二者都符合RoHS标准的要求。

TQP3M9035的技术细节:

50MHz-4GHz高线性度低噪声放大器;0.66dB噪声系数;+37dBm OIP3;+22.5dBm P1dB射频输出功率;16.5dB增益。提供关断能力,内匹配;在110 mA,+5V单电源运作;2x2mm DFN塑料封装。

TQP3M9038的技术细节:

50 MHz - 4 GHz 高线性度低噪声放大器;2dB噪声系数;+39.5dBm OIP3,21.6dB P1dB射频输出功率,14.9dB +/-0.3dB (500 MHz-3.5 GHz) 极平坦增益响应。内匹配;在85 mA, +5V单电源运作;3x3mm QFN封装。

新TQP3M9035和TQP3M9038目前在产。TQP3M9035可提供完全组装的500 MHz - 4 GHz评估装置。TQP3M9038的装置包括中频版本 (50 - 500 MHz) 和射频版本 (500 MHz - 4 GHz)。

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  • 低噪声放大器是指噪声系数很低的放大器,一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器,以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合,放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重,因此希望减小这种噪声,以提高输出的信噪比

  • TriQuint半导体公司
  • TriQuint半导体公司成立于1985年,通过向全球主要通信公司提供高性能的射频模块、元件和晶圆代工服务,达到“连接数码世界,贯通全球网络”的理念。
    TriQuint半导体公司采用砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、声表面波(SAW) 和体声波(BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案,满足全球客户需求。TriQuint是市场领导者,专门为移动设备,3G和4G蜂窝基站,WLAN,WiMAX,GPS,国防与航空等领域的客户提供各种服务。
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