三星一马当先,将在ISSCC展示big.little处理器

上网时间: 2012年11月23日? 作者:Rick Merritt? 我来评论 【字号: ? ?小】

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三星(Samsung)将在明年二月的国际固态电路大会(ISSCC)中,展示采用 ARM big.little 概念的移动应用处理器。

这是少数将在该会议大披露的新款微处理器,但包括英特尔(Intel)的 Haswell 和 Nvidia 的丹佛计划(Project Denver),都很明显地缺席。不过,英特尔和 Nvidia 都将就新的芯片到芯片连接提出最新论文,展示他们对未来处理器的规划。

三星将揭露具有两个四核心丛集的 28nm SoC 详细资料。其中一个丛集执行在1.8GHz,具有2MB L2 快取,主要针对高性能应用;另一款速度为1.2GHz,可用于调节能源效率。

该芯片与 ARM 所提出之采用 32位 A15 和 A7 核心的 big.little 架构相同。今年10月时,ARM曾表示这种方法提供了比预期还要高的效益,未来将广泛应用在智能手机中。

Linley Group 资深分析师Kevin Krewell表示,三星将推出首款 big.little 处理器。 A7 核心应该能处理大多数智能手机的任务,而A15核心则处理需要高性能的需求,如游戏。

而其它如高通(Qualcomm)、 Nvidia 和其它预计2013年推出,将与英特尔 22nm Haswell 在平板市场竞争的处理器则并未计划在 ISSCC 上披露。根据过去经验,英特尔在会议上提出的论文向来与处理器无关。

不过,这家 x86 巨擘将描述一款频宽达1Tb的可扩展64信道芯片到芯片互连。 该链路使用多个2~16Gb/s信道,执行在0.8~2.6 pJ /bit,采用32nm CMOS制程,总总线功耗为2.6W

这篇文章介绍了英特尔研究院(Intel Labs)的研究成果。英特尔实验室资深首席工程师Bryan Casper表示,该论文描述了使用Samtec的micro-twinax线路,以及 Ardent Concepts 的连接器来连接Tb/s等级的芯片,否则功耗可能会拉升至20W。

Casper表示,直径1到2mm的线束将是“我们在跨越移动和 服务器应用时,向前迈进的重要技术。次pJ /bit I/O非常重要,因为这是快速开启和关闭I/O连接的关键。”

Nvidia将描述一款20Gb/s的串行芯片到芯片28nm CMOS,它采用0.9V电源,电源效率0.54pJ/b。这项互连技术可能会与Nvidia的丹佛计划整合,也可能应用在从笔电到超级计算机等所有ARM和绘图核心处理器系列中。

此外,中国科学院计算技术研究所(ICT)将提出新版龙芯3B处理器 (Godson 3B),该组件采用32nm。在此之前,ICT展示过八核心65nm CPU,并建议直接跨越到32nm。

在 ISSCC上,工程师将详细介绍Godson-3B1500,这是一款32nm high-K金属闸极组件,在1.35 GHz、40W条件下可提供172.8 GFLOPS性能。在同等功耗条件下,新处理器性能较65nm版本的128 Gflops有显著提升,这主要归功于新制、架构和电路的改良。

在其它论文中,德州仪器(TI)和麻省理工学院(MIT)将提出一款200MHz的影像译码器,可符合高效影像编码标准,提供每秒249M画素性能。它支持3,840 × 2,160画素分辨率,在0.9V时耗电76mW。

瑞萨(Renesas)将描述一款整合手机芯片,其中包含28nm双核心1.5GHz CPU、 LTE/HSPA + 基频调制解调器处理器、绘图加速器和电源管理单元。 AMD, IBM和甲骨文(Oracle)则将分别就其 Jaguar, zSeries 和 Sparc T5 发表论文。

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

编译: Joy Teng

参考英文原文:ISSCC: Samsung big.little, but no Intel, Nvidia CPUs,by Rick Merritt

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