今年DRAM价格在二月后起涨可能性高

上网时间: 2012年01月30日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,1月上旬DRAM合约价仍以持平价位开出,DDR3 4GB均价固守16.5美元,DDR3 2GB均价则维持在9.25美元,但整体成交量已从低价区渐渐转向平均价格移动,除了减产效应于第一季正式发酵,目前合约价格仍属历史低价,部份PC-OEM厂已缓步拉高库存水位,并开始接受较高价格的合约价,加上硬盘短缺问题在第一季陆续获得纾解,PC出货将在二月后将回复正常。集邦科技认为,只要DRAM厂不要因短期颗粒价格上涨而贸进将产能恢复,预估今年DRAM价格在二月后起涨可能性高。

在现货市场方面,虽然DDR3 2Gb现货价格自去年12月初0.72美元起涨至今来到0.97美元,不光颗粒价格逼近金1美元价位,涨幅亦高达35%,但现货市场规模逐渐萎缩却是不争的事实,其中不外乎笔电已搭载足量的内存,近几年升级市场的衰退亦是其中主因,现货市场产值从早期2004年约囊括整体DRAM市场的50%,大幅衰退至2011年的15%左右。平心而论,现货价格对于DRAM市场仍具影响力,对于合约价格上涨也有一定助力。

后标准型DRAM时代来临,产品开发与核心技术将是未来获利关键

综观整体DRAM市场的获利关键,几乎都是来自于产能的扩充与制程不断的再精进,从早期的90nm、65nm制程至今已来到30nm、甚至20nm制程,制程的微缩虽使成本持续下降,但同时伴随着是颗粒数的高成长,加上近年PC出货年成长已大幅趋缓,内存搭载容量亦失成长动能,DRAM产业在需求力道不再强劲的影响之下,获利难度越来越高。

集邦科技预估,2012年DRAM市场的发展将会产生重大的变革。首先,DRAM产能的扩充将渐趋理性,加上转进20nm难度极高、且需要高额的资本支出购买EUV等先进机台,即使龙头三星半导体亦不得不在制程精进上放慢脚步,因此集邦科技预估,今年整体DRAM的年供给位成长率仅有22%,较前数年动辄50%的年成长已大幅趋缓。不幸的是,供给位的减缓并不足以代表整体DRAM产业供过于求的颓势获得实时纾解,而是代表各DRAM厂获利的关键必须转向核心技术开发能力再作竞争,例如随着智能型手机与平板计算机的兴起,带动行动式内存的需求,如已在2011年第四季成为行动式内存出货主流LPDDR2,或者是今年下半年即将量产的LPDDR3,甚至是Wide-IO与LPDDR4,能够拥有核心技术的DRAM厂便是获利赢家。同时,云端需求的兴起亦使原本深耕于服务器内存的DRAM厂获益,DDR3的4Gb-Mono颗粒成为另一个获利指标。甚至在标准型DRAM上,今年亦有许多产品以DDR3为基础上再进化,如着眼于Ultrabook的兴起,为了精进省电效能以延长使用时效,厂商已开发出低电压版的DDR3L,在省电机制的强化上亦发展出DDR3M的产品,甚至有厂商有考虑将GDDR导入标准型内存中,在绘图上与游戏上可以有比标准型内存更佳的表现。DRAM厂在后续的获利竞赛仍有一番激烈竞逐,落后者势必逐渐将产能退出,唯拥有核心技术力的DRAM厂才有机会在后续市场中持续获利与生存。

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