宜普推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管

上网时间: 2011年08月18日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:氮化镓? 场效应晶体管?

宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN? FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。

EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件,RDS(ON)最大值是100mΩ,栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A),因此在较低栅极电压时,其性能得以全面增强,而且由于提高了QGD/QGS比率,EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。

宜普推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管_《国际电子商情》_1

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2012体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

“随着宜普氮化镓场效应晶体管系列产品的不断扩展,氮化镓场效应晶体管的性能标杆得以进一步提升。另外,这种新一代eGaN产品是业界首批不含铅及符合RoHS要求的器件。”共同创始人兼首席执行官Alex Lidow表示。

EPC2012在一千批量时其单价为2.1美元,客户可以透过DigiKey公司在网上购买。

技术支持

EPC2012 eGaN FET 应用手册详细列明其增强了的性能。

表1:EPC2012指标额定值总结
宜普推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管_《国际电子商情》_2

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器,器件性能好。

标签 晶振??

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