宜普开发板助氮化镓FET用户快速开发电源转换电路和系统

上网时间: 2011年08月18日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:氮化镓? FET?

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板,这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN?)场效应晶体管设计产品,其应用范围广泛,如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电(PoE)系统和同步整流器。

EPC9004开发板是一种200V最大输入电压、2A最大输出电流并带板载栅极驱动器的半桥电路设计及采用EPC2012 200V eGaN FET。推出这种开发板的目的是简化评估EPC2012 eGaN FET的过程,因为EPC9004是块单板,上面集成了所有关键元器件,可以方便地连接任何现有转换器。

EPC9004开发板尺寸为2英寸x1.5英寸,不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2012 eGaN FET,而且包含有板载栅极驱动电源和旁路电容。电路板上还设计有多个探测点,以便测量简单的波形和计算效率。随EPC9004开发板一起提供的还有一份供用户参考和方便使用的快速入门指南。

EPC9004开发板单价为95美元,就像EPC其它产品一样,客户可以透过DigiKey公司于网上购买。

宜普公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括服务器、上网本、笔记本电脑、LED照明、蜂窝手机、基站、微型逆变器及D类音频放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。


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