2012年起DRAM成本下降速度将变慢

上网时间: 2011年07月08日? 作者:DEE NGUYEN,IHS iSuppli? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DRAM? 光刻节点? 40纳米?

据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。

虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极,但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度该产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推动DRAM技术迁移的力度增大。在此期间,成本降幅从7.8%增大至14.2%,晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。

IHS iSuppli公司的研究显示,但从第二季度开始,预计DRAM产业对于光刻工艺迁移的态度将不再那么积极,成本下降速度也将变慢。第二季度lithography reduction将下降到5.2%,第三季度下降到4.8%,第四季度降到3.7%。相应地,成本削减幅度也将在第二季度下降到12%,第三和第四季度分别降至9和4%,如图所示。

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确实,DRAM产业正在经历几种转变,例如许多供应商进行战略性调整,摆脱商品类DRAM;建立新的制造与代工联盟;继续向40纳米及更先进的工艺迁移。IHS公司认为,所有这些因素都将对供需关系产生影响,进而影响利润率和供应商的利润。

令人意外的是,由于上一个繁荣周期利润率大幅上升,第一季度DRAM产业保持盈利状态。上一个繁荣周期始于2009年第二季度,持续到一年以后结束。尽管DRAM平均销售价格持续下降,但目前的周期符合历史形态,随着需求的起伏变化,芯片价格与DRAM厂商的利润也随之波动。

本文下一页:DRAM成本下降的因素

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