2012年起DRAM成本下降速度将变慢

上网时间: 2011年07月08日? 作者:DEE NGUYEN,IHS iSuppli? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DRAM? 光刻节点? 40纳米?

尤其是,预期中的成本下降将来自技术变化,DRAM芯片将越来越多地采用新型光刻设备和技术制造。从2010年第四季度到今年第一季度,推动光刻工艺变化的主要厂商是Inotera和Rexchip,前者的平均光刻节点横跨至50纳米,而后者则前进到了40纳米。

IHS iSuppli公司的研究显示,虽然DRAM成本下降可以来自光刻技术变化以外的其它因素,但那些额外考虑现在完全可以排除。其中一个因素是以扩大规模效益为目的的产能增长,该因素将受到限制,因为厂商将继续对专门用于产能扩张的资本支出保持谨慎。另一个因素是运营效率,由于以前及目前的疲软局面促使厂商的运营保持相对紧缩,该因素预计不会对未来的成本节省有太大影响。

IHS的估计显示,随着向4x纳米的过渡明年彻底完成,成本下降势头将更加变弱。在2011年剩余时间内,每季度相对于光刻迁移的成本下降将达到6.5%,2012年缩窄到3.3%。随着光刻迁移势头在未来几个季度减弱,成本下降趋势将反映这种变化——现在强劲,2012年减弱。

作者Dee Nguyen,IHS公司内存分析师。

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