英飞凌节能芯片帮助全球降低能耗

上网时间: 2011年06月03日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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最新RC-D快速IGBT以很高的开关频率实现了最高达96%的能效,同时缩小变频器的尺寸并降低其成本

英飞凌的逆导型(RC)600V IGBT家族又添两名新成员。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速IGBT,可以设计出更高能效的电机驱动家用电器,它们使用尺寸更小的元件,因此成本比同类系统更低。

英飞凌最新推出市场领先的集成快速体二极管的650V CoolMOS? CFD2产品,可将诸如服务器、太阳能设备、电信机房开关电源和照明装置等设备的能效提升至新的高度

英飞凌的最新一代高压CoolMOS? MOSFET实现了又一项创新,设立了能源效率的新标准。英飞凌展出了全新650V CoolMOS? CFD2,它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点,不仅可以提高能效,而且具备更软的换流功能,从而降低了电磁干扰(EMI),提升产品的竞争优势。

英飞凌为实现高能效电源转换设计助一臂之力:中压系列OptiMOS?进一步完善CanPAK?产品阵容

英飞凌新推出的60V至150V CanPAK?,进一步完善了其OptiMOS?功率MOSFET产品阵容。利用该产品,电源系统工程师可以优化设计,实现更高能效和卓越的散热性能,同时最大限度地缩小占板空间。较之于标准分立式封装,CanPAK?金属“罐”结构有助于实现双面散热,并且几乎不会产生封装寄生电感。CanPAK?的优势与OptiMOS?家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS?产品可在整个电压范围内实现行业最低的RDS(on)和Qg 。对于诸如面向电信应用的隔离式DC-DC电源转换器,以及太阳能微型逆变器和太阳能系统中使用的MPP追踪器等快速开关应用而言,很低的栅极电荷(Qg)意味着最低的开关损耗。而对于诸如电机控制等高电流应用场合,英飞凌CanPAK?产品具备业界最低的RDS(on),可以实现最低的功率损耗。

碳化硅肖特基二极管thinQ!?——采用TO封装的高能效1200V器件

随着时间的推移,英飞凌推出的第二代碳化硅肖特基二极管,已经成为不成文的行业标准。现在,英飞凌进一步扩充了这个本已十分广博的产品组合,推出了采用新的TO-247HC(长爬电距离)封装的1200V碳化硅二极管。

这种新的封装完全兼容行业标准TO-247,因而可轻松用于现有的设计,而无需付出额外的努力。更长爬电距离,可提高系统安全性,有效防止系统内部的灰尘或污垢导致的短路,特别是电弧。这样,就不需要使用额外的化学(硅胶或硅霜)或机械(护套或箔)手段来避免封装引线之间存在任何污染,从而充分发挥快速的精益生产工艺的所有优势。碳化硅肖特基二极管thinQ?系列的目标应用包括太阳能系统、UPS、SMPS和电机逆变器等,可全面满足客户不断提高能效和功率密度的需求。

全新60V逻辑电平OptiMOS“606”系列小信号MOSFET

英飞凌以提供适用于汽车(AEC Q101)的品质优异的小信号MOSFET而闻名于世。现在,新推出的60V逻辑电平OptiMOS“606”家族,进一步丰富了这个产品组合。这种60毫欧姆逻辑电平器件,具备出类拔萃的单位面积RDSon,并且具有很低的Qg,可以实现更好的轻载效率。这种产品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封装,特别适于强调节省空间、降低功耗的应用。目标应用包括,作为低功率DC/DC电源转换器的外接FET、在用于电动汽车、混合动力汽车和外充电式混合动力汽车的电池能量控制模块(BECM)中发挥平衡作用,以及用作多种微控制器的外接FET。

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