今年内存需求将步入周期下行阶段

上网时间: 2011年01月21日? 作者:邵乐峰? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:Flash? DDR3? MRAM?

随着半导体产业在2010年的整体回暖,各种应用领域对包括Flash、DDR3、MRAM、FRAM、SSD和移动硬盘等在内的各种存储器的需求也急速升温。目前存储器行业的供应现状及未来供求趋势如何?市场需求和挑战来自哪里?最新解决方案和产能是否能够满足上述需求?本专题分析文章将帮助您解决以上疑问。

今年内存需求将步入周期下行阶段_《国际电子商情》_1
美光企业发展副总裁Michael Sadler

美光(Micron)目前的产品线覆盖了SSD、NAND、NOR、PCM和DRAM元件与模组。该公司企业发展副总裁Michael Sadler从战略角度对全球内存行业的发展进行了展望。他认为,内存行业将在2011年步入行业周期下行的阶段,但这并非是由供给不足造成的,价格方面的压力主要是来自于比较孱弱的需求。再加之目前全球经济仍处于缓慢复苏阶段,因此尚无法确切预测这次下行的周期会有多长,下探的幅度会有多大。因此,做好充分的项目论证、拥有强有力的资产负债表、以及足够的现金流对像美光这样的企业来说至关重要。

在产品层面,Spansion亚洲区销售和市场营销副总裁SL Chan介绍说,鉴于快速读写能力对计算尤为重要,所以DDR3仍然是主要使用的存储器。但DDR3 DRAM还不稳定,需要不断对芯片供电以保留信息。而作为取代硬盘驱动器的SSD规格将在明年取得增长,并将逐步蚕食硬盘驱动市场,因为它们能提供更高速的数据吞吐量和更低的功耗。

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Spansion亚洲区销售和市场营销副总裁SL Chan

显然,闪存密度的提升将是推动SSD应用持续增长的主要动力。SL Chan进一步解释说,闪存能保证数据和代码不易流失,将继续主导半导体存储市场。同时,闪存应用广泛,未来将被应用到一些全新创新的电子产品中。计算机、通信、汽车、工业、消费电子、游戏以及无线电子都应用了NOR和NAND闪存,相信未来这些市场对闪存的需求会继续增长。

市场对非易失性内存的需求首先来自于笔记本电脑,由于超高密度非易失性内存需求的持续攀升,使得便携式磁盘驱动器在这个市场上继续占据主导地位;而主要应用于存储、工业、游戏等产业的MRAM则具备快速读写能力和非易失性等特点,但现在市场中可提供的MRAM密度都低于16Mb;FRAM也具备非易失性,但速度不及MRAM。多数FRAM市场都是非常低密度,尤其适用于智能卡。

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富士通半导体市场部产品经理蔡振宇

作为FRAM市场的重要玩家,富士通(Fujitsu)半导体市场部产品经理蔡振宇称,FRAM作为非易失性随机存储器,它的记忆结构采用铁电晶体薄膜,并利用其在晶体中心原子的两极翻转移动的铁电效应来实现数据的写入与存储。FRAM存储器在具有非易失特性的同时,更实现高速度、高频度的写入功能。

因此,该产品的主要目标市场来自于数据采集记录领域(包括电力表、水表、煤气表、暖气表、医疗仪表、RFID智能卡门禁系统及汽车行驶记录仪等系统中),以及重要数据存储领域(包括复印机、打印机、工业控制、网络设备、游戏机、自动贩卖机作为缓存取代BBSRAM、银行自动提款机、税控机、POS机和传真机等)

他强调说,FRAM以其多次的读写次数、快速擦写和非易失性等特点,可以为系统工程师节省出更多的功率、制造成本和空间,并增加了整个系统的可靠性。在未来的一年中,FRAM在三表、汽车行驶记录仪、POS中将变得越来越普及。

相变存储器(PRAM)则是一款全新的存储,目前还未真正上市。PRAM具备与闪存相似的功能,但PRAM提供可编程字节。在SL Chan看来,PRAM的应用领域至今还不是很清楚。“一些公司建议用PRAM代替闪存应用在无线设备中,但这种做法的益处还不得而知。”他补充说,“要让PRAM可以取代现今的闪存而获得广泛接受,整个行业必须有所改变,我们需要相应的芯片解决方案、软件和客户硬件架构。”

[转下一页:方案琳琅满目

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  • 什么是Flash?
  • Flash即闪存。闪存作为一种非挥发性的半导体存储芯片,闪存有许多种类型,从结构上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等,其中NAND和NOR是目前最为常见的类型。

  • DDR3是什么意思
  • DDR3是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来,其数据传输速度为DDR2的两倍。同时,DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大,达到512Mb至8Gb,从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。此外,DDR3的工作电压降低为1.5V,比采用1.8V的DDR2省电30%左右。

  • MRAM是什么意思
  • MRAM是英文Magnetic Random Access Memory的缩写,中文意思是磁性随机存储器,是一种非挥发性的磁性随机存储器。MRAM拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。

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