2011年DRAM均价将跌三成,众厂商加大投入搏竞争力

上网时间: 2010年07月05日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DRAM? 瑞晶? 尔必达?

针对 DRAM 厂明年获利分析,集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部门 DRAMeXchange 指出,明年 DRAM 均价较今年下跌约30%。然而随着制程转进、成本下降, DRAM 厂营业利益率(OP Margin)成本优势最佳者,今年营业利益率平均为36%,明年平均为26%;而成本优势落后者,今年下半年转亏为营,明年营业利益率约可维持在10%上下。

DRAMeXchange 表示,今年下半年 DRAM 产业制程加速4xnm转进,产出增加将带动价格下跌,然而价格下跌将刺激 DRAM 搭载量趋势往4GB以上,预估DRAM均价于今年第四季向下修正。此外,面对三星(Samsung)扩大资本支出,产能增加及技术转进,其它DRAM厂也积极强化其竞争力。

2011年DRAM均价将跌三成,众厂商加大投入搏竞争力_ESMCOL_1

DRAMeXchange指出,策略规划与未来发展的方向分析方面,海力士(Hynix)将2010年资本支出调高近1/3达26亿美元,加速44nm制程及 NAND Flash 3xnm之技术转进。美光(Micron)阵营方面,在50nm转进同时加速42nm制程研发,预计于Q310开始投片量产。台湾厂商南科与华亚科计画二度调高资本支出,加速浸润式机台采购进度与美光同步42nm制程技转。

日本尔必达(Elpida)阵营则今年提升在广岛厂移动内存投片比重,将标准型 DRAM 生产重心移往台湾瑞晶;目前瑞晶已正式量产63nm制程,42nm制程预计七月正式投片。力晶则规划加强代工与 NAND Flash 的比例,未来朝标准型 DRAM 、代工业务与NAND Flash三大事业体多元化发展。

华邦则决定淡出标准型DRAM,业务发展优先级依次为NOR Flash、绘图内存、行动内存,同时在取得奇梦达46nm技术,自行再研发生产46nm。茂德则是出售新竹二厂,集中资源于中科厂,积极导入尔必达63nm制程技术。

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  • DRAM,英文全称Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器。DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。

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