士兰微电子推出内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器

上网时间: 2010年06月22日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:士兰微电子? 高压MOSFET电流模式?

杭州士兰微电子近期推出了应用于开关电源的内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM的AC/DC控制器——SD486X系列芯片的升级版:SD686X系列。该系列芯片具有低功耗、低启动电流和较低的EMI,最高效率可以达到84%以上,输出电压和极限输出功率均可调节。目前芯片可以提供的功率范围为:宽电压范围5~26W,窄电压范围7~28W。可广泛应用于机顶盒、DVD播放机、电源适配器等整机产品中。

士兰微电子推出内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器_ESMCOL_1

该系列芯片采用了多项自主知识产权技术,如交错式频率抖动技术,峰值电流补偿技术等。其中交错式频率抖动专利技术可以使得芯片振荡频率不断变化,以减小芯片在某个单一频率的对外辐射,并使振荡频率在一个很小的范围内变动,从而可以有效地降低EMI,简化EMI设计。峰值电流补偿专利技术可以为芯片提供最大功率平衡,此技术还可以在电路初始化后有效地减小芯片启动时变压器的应力。

同时,该系列芯片可以根据输出的负荷情况,调节开关频率(25~67KHz)和峰值电流,轻负载的降频模式和峰值电流控制功能可以为芯片提供更高的效率。芯片的ADJ端具有极限输出功率调节功能;在待机模式下,芯片进入打嗝模式,从而有效地降低芯片的待机功耗。此外,芯片内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定,过压保护,过载保护,原线圈过流保护,过温保护和脉冲前沿消隐功能。在芯片发生保护以后,芯片可以不断自动重启,直到系统正常为止。

相比于SD486X系列,SD686X系列芯片进行了以下升级:

1. 更高的效率,能够满足能源之星LEVEL5 (EPS2.0)的效率要求;

2. 外置了限流电阻及线电压补偿电阻,提高过流保护的精准度,可以满足UL60950测试;

3. 工作电压范围更宽(8~24V),进一步方便客户设计;

4. 内置了峰值电流补偿电路,可以平衡高、低压极限峰值电流;

5. 优化了启动特性,提高电路可靠性。

SD686X系列芯片基于士兰微电子自主研发的BCD工艺制造,采用了DIP-8的封装形式,并内置了650V高压功率MOS系列晶体管,因此,SD686X系列产品具有集成度高、占板面积小、便于整机调试等突出的特点。相对于采用分立的控制芯片和功率MOSFET的应用方案来说,不仅降低了综合成本,而且大幅度提高了芯片的可靠性。


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