以分立式解决方案50%的尺寸,实现最高性能的NexFET功率模块

上网时间: 2010年06月13日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:NexFET? 功率模块? MOSFET?

德州仪器(TI)宣布推出一款可在25 A电流下实现超过90%高效率的同步MOSFET半桥,其占位面积仅为同类竞争功率MOSFET器件的50%。TI全新CSD86350Q5D功率模块通过高级封装将2个非对称NexFET功率 MOSFET 进行完美整合,可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点(POL)转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。

NexFET功率模块除提高效率与功率密度外,还能够以高达1.5 MHz的开关频率生成高达40 A的电流,可显著降低解决方案尺寸与成本。优化的引脚布局与接地引线框架可显著缩短开发时间,改善整体电路性能。此外,NexFET功率模块还能够以低成本方式实现与GaN 等其他半导体技术相当的性能。

CSD86350Q5D 功率模块的主要特性与优势:

-- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形仅为两个采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装的分立式MOSFET 器件的50%;

-- 可在 25 A 的工作电流下实现超过 90% 的电源效率,与同类竞争器件相比,效 率高 2%,功率损耗低 20 %;

-- 与同类解决方案相比,无需增加功率损耗便可将频率提高 2 倍;

-- 底部采用裸露接地焊盘的 SON 封装可简化布局。

供货与价格情况

采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封装的 NexFET 功率模块器件现已开始批量供货,可通过 TI 及其授权分销商进行订购。此外,样片与评估板也已同步开始提供。

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