韩朝关系紧绷三星命悬,恐引发产业地震

上网时间: 2010年05月31日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:三星电子? DRAM? NAND Flash?

才刚对全球半导体产业投下史上最高资本支出震撼弹的三星电子(Samsung Electronics),再度因韩朝政治对立情势升温,战事恐一触即发,而成为科技产业关心的焦点。业界聚焦重点放在DRAM和NAND Flash产业,三星在此两大产业中,DRAM市占率分别超过30%,NAND Flash市占率逼近40%,未来韩朝关系若持续紧绷,甚至有战事发生,将使得全球个人计算机(PC)和消费性电子产品供应链造成巨大变化。

全球DRAM和NAND Flash生产大厂:三星

根据DIGITIMES Research分析,三星的半导体生产基地离北韩相当近,是东北亚电子产业的危机潜伏地区,三星是2009年全球半导体消费金额排行第2的业者,仅次于惠普(HP),显示三星在半导体生产领域和消费者领域的地位。

目前三星在韩国DRAM芯片单月产能超过30万片,包括Fab9、Fab10、Fab11A、Fab11B、Fab12、Fab13及Fab15等,涵盖标准型DRAM、利基型DRAM等,全球市占率超过30%,影响所及涵盖PC和各式消费性电子应用。

日前三星宣布要兴建Fab16,预计单月产能可达20万片,未来可生产DRAM、NAND Flash等,继而目标是提升Fab15的制程技术至30纳米制程,预计半导体产业要投入资本支出高达9兆韩圆(约80亿美元)。

NAND Flash芯片单月产能约25万~30万片,全球市占率逼近40%,应用领域包括手机、MP3播放器、随身碟、快闪记忆卡等。目前三星和二哥东芝 (Toshiba)的全球市占率越来越接近,2厂都超过30%市占率,掌控全球NAND Flash芯片的供货主导权。

三星史上最高资本支出 成功猎杀台厂

三星日前才宣布史上最高金额的资本支出计划,全球DRAM和NAND Flash产业应声全倒,成功狙击了这一波正在从谷底复苏,且积极有募资计划的台厂。台系DRAM厂的营运虽然从谷底反弹,但根基还不稳固,尤其是身上仍是负债累累,且没有多余资金可以扩产,三星这项资本支出计划,成功让台厂的募资计划受挫。

对于美光(Micron)和尔必达(Elpida)这两家竞争对手虽然成功在金融风暴中挺过来,但手上的银弹有限,不可能跟随三星加入这场钱海战术,加上美日两阵营近年来与台系DRAM厂越绑越近,利用台湾低成本的生产基地,让美日两大阵营竞争力大增,但三星这一次出招,却让台美日内存厂全部都挨闷棍。

内存业者认为,三星宣布的资本支出计划出炉后,基本上已达到重挫对手的目的,是否真的全部如期执行,则是其次问题,惟现在大家关心韩朝战略情势升温,不确定性大幅增加,但业者认为,这种牵扯到政治和战争之事,只能用假设和推测去分析。

业者认为,由于三星在韩国的厂房接近朝鲜地区,如果真的有战事发生,导致三星厂房有损失,最大受惠者当然是台美日DRAM厂,以及美日阵营的 NAND Flash大厂,如果南北韩战事扩大,恐削弱三星长期的产业竞争力,会是台美日等各厂击倒三星的最佳机会点。

?下一页:三星危机谁损谁益?

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