2010年Q1全球DRAM营收排名,韩系厂商花开两朵

上网时间: 2010年05月05日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DDR3? DRAM? DDR2?

国际电子商情讯 根据集邦科技公布价格,DDR3合约季均价与现货季均价继去年第四季分别大涨40%与30%后,今年首季分别续涨16%与14%;DDR2合约季均价与现货季均价,在2009年第四季分别大涨61%与68%后,今年首季淡季不淡,合约季均价续涨5%,现货季均价持平,持续维持在高文件价格。

集邦科技表示,由于计算机系统厂商于首季将DDR3的搭载比例,由去年第四季的40%拉高至60% 造成首季DDR3供货吃紧。DDR2方面,现货市场需求仍大部份在DDR2,而DRAM厂快速转进至DDR3,使买方努力拉高DDR2 库存,防备接下来市场缺货,使DDR2 1Gb现货价格直上3美元。

虽然进入传统淡季,计算机系统厂商在担心下半年的缺货下,对于DRAM需求仍维持与去年第四季相当的需求量,使DDR2与DDR3颗粒价格在第一季里价格续涨。根据集邦科技统计,今年首季DRAM厂商营收涨跌互见,幅度约在-15~37%之间。其中三星(Samsung)、美光(Micron)、力晶(Powerchip)及茂德(ProMOS),首季营收成长皆优于市场平均。

在全球DRAM厂自有品牌内存营收排名方面,集邦科技表示,由于淡季不淡, DRAM季均价持续上涨下,今年首季全球DRAM产业总营收持续成长6.9%,为92.77亿美元。

2010年Q1全球DRAM营收排名,韩系厂商花开两朵_2010年第一季全球DRAM厂自有品牌内存营收排名 (单位:百万美元)_1
2010年第一季全球DRAM厂自有品牌内存营收排名 (单位:百万美元)
(资料来源:集邦科技,2010年4月;公司营收含委外代工,代工厂则不包含代工销售额)
注:三星首季营收计算是以法说会所公开的合并报表中内存营收(5.59 Trillion KRW),并按照DRAM营收占内存部门比重61%做计算及首季平均汇率( 1美元兑换1143.4韩元 ) 所计算出来。以此类推,海力士则是整体营收的81%作为DRAM营收数字的基准点,美光是以整体营收的66.9%作为DRAM营收数字,力晶的77%、茂德的88%、南科的96%及华邦的79%作为DRAM营收的数字( 1美元兑换31.9台币),尔必达则是以1美元兑换90.5日币。

其中DRAM龙头厂商三星(Samsung)在制程持续转进46nm下,季位成长约15%、加上DRAM价格上涨,首季DRAM营收涨幅为9.1%,为30亿美元,由于营收成长率略高于市场平均,市占率微幅成长0.6%至32.3%。韩系厂商海力士(Hynix)首季DRAM营收在季均价上涨3%以及季位成长6%下,营收成长6.8%,为19.98亿美元,位居DRAM产业营收第二名。

尔必达(Elpida)虽然首季季位成长率近15%,然而去年第四季受益于销售库存使营收大幅成长,在第四季营收基期高下,首季成长营收小幅衰退3.7%,为16.18亿美元,位居DRAM产业营收第三名。

美光(Micron)财报结算日期在3月初,其季营收是以12、1、2三个月结算。其DRAM均价与上季 (9、10、11月)相较,上涨7%、位销售量成长17%,在DRAM价量均成长下,季度DRAM营收较上季成长达24%,为13.11亿美元,为DRAM产业营收第四名。

台系厂商方面,力晶受益于DDR3/DDR2现货价上涨以及季位微幅成长3%,首季营收成长略高于市场平均为8.3%,营收达4.42亿美元。而南科(Nanya)首季在DRAM季均价下跌5%以及销货量下跌8%下,DRAM营收下滑14.4%,为4.25亿美元。在力晶与南科营收一消一涨下,首季营收排名力晶已超越南科跃居为DRAM产业营收第五名。

华邦(Winbond)首季公告DRAM营收为1.74亿美元,较上季微幅成长4.8%,市占率为1.9%。茂德(ProMOS)受益于首季位成长近60%,其季营收成长率高达37.4%,市占率较上季增加0.3%,为1.3%。

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  • DRAM是什么意思
  • DRAM,英文全称Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器。DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。

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  • DDR3是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来,其数据传输速度为DDR2的两倍。同时,DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大,达到512Mb至8Gb,从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。此外,DDR3的工作电压降低为1.5V,比采用1.8V的DDR2省电30%左右。

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