制程竞赛,三星首款20nm NAND Flash量产

上网时间: 2010年04月29日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:NAND? 内存? MLC?

国际电子商情讯 三星电子(Samsung)宣布量产首款20纳米级NAND芯片,据表示,全新的32Gb MLC NAND可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案,为智能手机、高端IT应用与高效能记忆卡应用提供更多开发选择。

相较于30纳米级MLC NAND,三星20纳米MLC NAND的生产率高出50%,在写入速度上,20纳米级8GB以上的SD卡比30纳米NAND速度快30%,并实现了速度等级10 (读取速度每秒20MB,写入速度每秒10MB)。透过应用先进制程、设计与控制器技术,三星也确保新组件拥有与30纳米NAND相同的可靠性。

2009年3月,三星电子首先开始量产30纳米32Gb NAND,现在已可提供使用20纳米32Gb NAND的SD卡样品给客户,并将在今年下半年扩大生产。基于20纳米技术的记忆卡将能提供4GB到64GB的不同密度选择。

三星电子内存部门董事长Soo-In Cho表示,在始量产30纳米NAND一年后,三星便开始提供下一代的20纳米NAND解决方案。全新的20纳米NAND代表了制程跃进,以及重要的效能创新。

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