TSMC 0.25微米车用嵌入式Flash出货60万

上网时间: 2010年04月23日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:嵌入式闪存工艺? 闪存? Flash?

TSMC于4月21日宣布该公司符合汽车电子AEC-Q100第一级(AEC-Q100 grade1)高规格要求之0.25微米嵌入式闪存工艺,累积出货量已达到60万片八吋晶圆,为客户产出各种不同汽车电子应用之集成电路产品,相当于微控制器(MCU)的出货量已超过7亿2千万个。在2009年,部分客户产品的实际行车故障率(field failure rate)已达到低于千万分之一(<0.1ppm)的极高水准。

考虑每个产品在测试筛选过程中,其资料写入及消除(endurance cycles)及资料保存(data retention)能力的测试数量相当有限的情况下,实际行车故障率低于千万分之一的表现,在嵌入式闪存产品领域显得十分卓越。TSMC相信,客户的测试方法与TSMC工艺能力的完美搭配,是这些产品实际行车故障率远低于业界水准的主要原因。

TSMC是全球第一家专业集成电路制造服务业者,有此能力提供符合AEC-Q100高规格要求之0.25微米嵌入式闪存工艺。AEC-Q100第一级规范确保汽车电子集成电路产品能够承担10,000次的资料写入及消除,并能在摄氏零下40度的低温到125度的高温范围内正常运作。

TSMC嵌入式闪存业务开发处处长林振铭指出,该公司以0.25微米嵌入式闪存工艺为汽车电子应用客户产出高达60万片八吋晶圆,同时建立产品寿命及品质的高规格标准,彰显TSMC对汽车电子产业坚实不变的承诺。

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