跳过22纳米,TSMC宣布直接发展20纳米工艺

上网时间: 2010年04月19日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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国际电子商情讯 台积电TSMC日前在美国加州圣荷西市举行技术研讨会中宣布,将跳过22纳米工艺,直接发展20纳米工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定,提供客户一个更可行的先进工艺选择。

此次技术研讨会有1,500位客户及合作厂商代表参加,TSMC研究发展资深副总经理蒋尚义在会中表示,TSMC 20纳米工艺将比22纳米工艺拥有更优异的闸密度(gate density)以及芯片性价比,为先进技术芯片的设计人员提供了一个可靠、更具竞争优势的工艺平台。此外,20纳米工艺预计于2012年下半开始导入生产。

TSMC20纳米工艺系在平面电晶体结构工艺(planar process)的基础上采用强化的高介电值/金属闸(high-k metal gate)、创新的应变硅晶(strained silicon)与低电阻/超低介电值铜导线(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技术。同时,在其他电晶体结构工艺方面,例如鳍式场效电晶体(FinFet)及高迁移率(high-mobility)元件,也展现了刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。

从技术层面来看,由于已经具备了创新微影技术以及必要的布局设计能力,TSMC因此决定直接导入20纳米工艺。

然而,蒋资深副总指出,在先进工艺技术的开发上,我们已经面临一个关键时刻,也就是必须主动积极地考量其投资回报率,并且需要打破仅考虑技术层面的思维模式;我们必须通过与客户密切合作以及在资源整合与最佳化方面的创新,同时解决来自技术及经济层面的挑战。


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