最低导通电阻的P沟道双路12V功率MOSFET

上网时间: 2010年04月09日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:Vishay? SiA975DJ? MOSFET?

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双路12V P沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻,采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装。

通过推出SiA975DJ,Vishay将其第三代P沟道TrenchFET技术扩展到双路12V功率MOSFET,并且采用了适用于手持式电子设备的超小PowerPAK SC-70封装。新器件可用于游戏机及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、PA和电池开关。

对于这些设备,SiA975DJ的更低导通电阻意味着更低的传导损耗,使器件能够用比以往市场上采用超小封装的双路P沟道功率MOSFET更少的能量完成开关工作,从而延长两次充电之间的电池寿命。MOSFET的低导通电阻还意味着在峰值电流下的电压降更低,能够更好地防止IC和负载出现欠压锁定情况。这样,设计者就可以使用电压更低的电池。

SiA975DJ具有超低的导通电阻,在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为41mΩ、60mΩ和110mΩ。最接近的20V P沟道器件的栅源电压等级为8V,在4.5V和2.5V栅极驱动下的导通电阻为60mΩ和80mΩ。这些数值分别比SiA975DJ高32%和25%。

SiA975DJ的PowerPAK SC-7封装占位只有2mm×2mm,是TSOP-6尺寸的一半,而导通电阻则相差无几。MOSFET经过了100%的Rg测试,符合IEC 61249-2-21的无卤素规范,符合RoHS指令2002/95/EC。

新款SiA975DJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十六周。

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