全球DRAM产业2009第三季营收涨幅高达40.7%

上网时间: 2009年11月11日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DRAM? DDR3? DDR2?

国际电子商情讯 根据集邦科技调查,2009年第三季,DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下,需求量激增,DDR3合约价在第三季大涨36%,现货价也在合约价的带动下上涨24%。DDR2方面,由于DDR3合约价格大涨,亦带动DDR2合约价格的涨势,且在第三季国际DRAM大厂转进DDR3相当积极,导致DDR2出货量减少效应持续发酵,部份PC OEM厂商亦已逆向操作增加DDR2的库存水位,使得本季DDR2合约价涨幅高达31%、现货价格涨幅亦高达30%,涨幅与DDR3不惶多让。

第三季各DRAM厂商营收在DDR3合约价上涨36%、现货价上涨24%以及DDR2价格上涨30%下,皆较第二季成长,成长幅度约在15至55%之间。其中,三星(Samsung)以及力晶(Powerchip),第三季营收成长皆达50%以上,远优于市场平均。

全球DRAM厂自有品牌内存营收排名

根据集邦科技统计,2009年第三季全球DRAM产业营收为57.19亿美元,与2009年第二季相比,上涨了40.7%。其中韩系厂商三星在DRAM合约价上涨、制程持续转进50nm使季位成长约10%以及提高DDR3的生产比例下,其第三季DRAM营收涨幅高达51%,为17.81亿美元,市占率上升2.1%至31.1%,稳占DRAM产业龙头宝座。韩系厂商海力士(Hynix)第三季DRAM营收在季均价上涨26%以及季位成长12%的影响下,营收上涨42.1%,为13.18亿美元,市占率上升0.2%至23%,位居DRAM产业营收第二名。

尔必达(Elpida)第三季营收涨幅37.6%,为10.25亿美元,主要受益于DRAM季均价上涨19%以及位成长13%,尔必达从今年第二季拉开与美光的距离后,已稳居DRAM产业营收第三名的宝座。美光(Micron)财报结算日期在九月初,其季营收是以6、7、8三个月结算,因此合约均价与上季(3、4、5月)相较,仅上涨8%。美光在本季DRAM产品销售成长19%,在价格与销售量皆成长下,营收成长28%,为7.05亿美元,因营收成长低于市场平均,市占率由第二季的13.5%跌至12.3%,为第四名。

台系厂商方面,南亚第三季公告之DRAM营收约为3.34亿美元,位居第五名。其第三季营收成长45.3%,主要原因为南亚季均价涨幅高达35%以及本季销货量成长5%所致。力晶第三季营收成长高达52.9%为1.93亿美元,主要受益于第三季DDR2现货价大涨30%以及产能利用率从第二季的41%拉升至82%,因此本季市占率微幅成长0.3%。华邦第三季公告之DRAM营收为1.46亿美元,较上季成长43.7%,市占率小幅成长至2.6%。茂(ProMOS)亦受惠于价格上涨,其季营收成长率为15.3%。

全球DRAM产业2009第三季营收涨幅高达40.7%_全球DRAM厂自有品牌内存营收排名_1

备注:三星的第三季营收计算是以法说会所公开的内存营收(3.8Trillion KRW),并按照DRAM营收占内存比重58%做计算及第三季平均汇率( 1美元兑换1237.5韩圜 ) 所计算出来。以此类推,海力士则是整体营收的77%作为DRAM营收数字的基准点,美光是以整体营收的54%作为DRAM营收数字,力晶的85%、茂德的80%、南科的95%及华邦的84%作为DRAM营收的数字( 1美元兑换32.8台币),尔必达则是以1 美元兑换93.5日币。

DRAM产业自有品牌各国市占率

2009年第三季,DRAM产业各国的市占率,其中韩国厂商市占率在第三季又再往上提升,已达整体市占的55.1%,稳居DRAM产业的盟主。台系、日系及美系厂商市占率在韩系厂商市占提升下,各有小幅的衰退,其中台系厂商市占率仅小幅衰退0.1%,市占率为14.2%;日系厂商衰退0.6%,市占率为18.2%;而美系厂商则因营收成长低于市场平均,在本季市占率衰退1.4%,市占率为12.5%。

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  • DRAM是什么意思
  • DRAM,英文全称Dynamic Random Access Memory,即动态随机存取存储器。DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。

  • DDR2是什么意思
  • DDR2(Double Data Rate 2)是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

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  • DDR3是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来,其数据传输速度为DDR2的两倍。同时,DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大,达到512Mb至8Gb,从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。此外,DDR3的工作电压降低为1.5V,比采用1.8V的DDR2省电30%左右。

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