瑞萨与松下联手开发领先SoC工艺

上网时间: 2009年10月20日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:瑞萨? SoC?

瑞萨科技公司与松下公司共同宣布,在瑞萨那珂分部(茨城县日立那珂市)集中精力联合开发领先的SoC工艺技术,并将其28-32nm工艺开发线投入运营。在瑞萨那珂分部,两家公司正通过致力于对300mm晶圆产品线的联合开发和提供联合开发结构,进行28nm工艺技术的开发,旨在不久的将来将其投入批量生产。

早在1998年瑞萨还未正式成立之时,即已与松下约定联合开发新一代SoC技术,并在瑞萨北伊丹事务所(兵库县依丹市)不断开发面向90nm、65nm、45nm和32nm系列的半导体工艺技术。2008年10月,在将具有金属/高k栅极堆栈结构与面向32nm系统SoC工艺的超低k材料晶体管技术进行结合,而使互联技术得到开发后,即确立了将其投入批量生产的目标日期。

此后,在2009年7月,双方又利用面向28nm工艺的金属/高k栅极堆栈结构合作开发了SRAM单元。现在,在这些成果的基础上,两家公司开始运营该生产线,以便在新近安装于瑞萨那珂分部的300nm晶圆开发线内,利用28nm制造工艺技术联合开发全集成技术。

在那珂分部的开发线中,除了从瑞萨北伊丹事务所转移过来的部分开发线设备以外,两家公司还安装了全新的生产设备,以开发批量生产中实际所需的晶圆尺寸的产品,完成顺利向批量生产阶段的过渡,达到削减开发成本、缩短开发时间,从而提高开发和生产效率的目的。

28-32nm SoC工艺技术作为联合开发的成果,已经应用到两家公司推出的先进移动应用和数字家电的SoC中。此外,这些产品也已在两家公司的各个分部实现了批量生产。

从促进早期技术积累到取得如今的成果,两家公司一直借助于这种长期的合作伙伴关系,进行持续有效地开发,并致力于将这些先进技术及早地投入到应用中去。


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