需求激增,全球NAND Flash明年将出现缺口

上网时间: 2009年10月19日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:NAND? Flash? 供需?

随着全球经济可望在2010年复苏,明年各种NAND Flash的终端应用产品的出货量也将转为成长;研究机构集邦科技(DRAMeXchange)表示,未来手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NAND Flash,预估2010年全球NAND Flash将出现缺货,需求的位产出将比今年增长81%,达到10,986M GB。

集邦科技预期,明年MP3记忆卡及UFD等的NAND Flash的传统应用产品的内建容量也将会持续提高,新的应用领域也将为NAND Flash市场带来新的成长动力,例如智能手机的出货量将持续成长,且将搭配更高的NAND Flash内建容量,而供货商也将更积极的推广SSD在各种计算机相关的应用领域。

就NAND Flash供给面而言,集邦科技表示,目前多数NAND Flash供货商多处在由亏转盈的阶段,许多供货商将以2010年市场需求的成长率,来做为明年产出成长目标参考,以使NAND Flash市场能维持在较平衡的状态,供货商目前对明年的扩产计划仍多倾向保守的态度,预期2010年NAND Flash晶圆总产出量将仅比2009年微幅增加,估计明年的资本支出仍将以制程技术升级为主。

由于多数供货商于今年第四季才逐渐增加3xnm制程技术产量,集邦科技预期,这些供货商量产2xnm制程技术的时程将落在明年下半年,另外供货商也是自第四季才正式量产3-bit/cell MLC的产品,估计在经过一段推广期及产品技术改良后,出货比重才可望在明年下半年明显提高,集邦科技估计,2010年全球NAND Flash供给的位产出,将比今年成长79%,达到10,759M GB。

就供需缺口的状况而言,集邦科技表示,2010年由于供货商节制产出成长,及终端应用需求回温,预估明年的NAND Flash全年供需缺口可望由今年较平衡的状况,转为偏紧,约2%的供需缺口,但季节性因素仍会影响季度的供需缺口,预期明年上半年NAND Flash市场因淡季因素,由今年下半年的供给偏紧转为的小幅供过于求,但明年下半年可望因为旺季效应,转为供给吃紧的状况,集邦科技预期,未来价格的波动性将会趋缓,而以反应制程技术提升的成本下降效益为主。

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全球NAND市场季缺口预测

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