Vishay新款DrMOS器件SiC769适用于电压稳压器

上网时间: 2009年07月24日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款在一个PowerPAK MLF6x6封装内集成DrMOS解决方案的器件SiC769,该器件同时提供了高压侧和低压侧的N沟道MOSFET,外加全功能的MOSFET驱动器IC。SiC769分别提供针对3.3V和5V控制器的两个型号,完全符合服务器和桌面计算机、图形卡、工作站、游戏控制台和其他高功率的CPU系统中电压稳压器的DrMOS规范。器件使操作频率可超过1MHz,从而降低多相VR拓扑的尺寸和成本。

Vishay新款DrMOS器件SiC769适用于电压稳压器_1

SiC769采用3V~16V的输入电压,可输出最高达35A的连续输出电流。集成的功率MOSFET对0.8V~2.0V的输出电压进行了优化,标称输入电压为12V。SiC769还可以在5V输出下,为ASIC应用提供非常高的功率。

SiC769先进的栅极驱动IC接收来自VR控制器的一个PWM输入,把它转换成高压侧和低压侧MOSFET栅极驱动信号。PWM输入与所有的控制器兼容,尤其是支持带有三态PWM输出功能的控制器。驱动IC中的电路能够自动探测轻负载情况,然后自动启动系统中的跳频模式操作(SMOD),该模式可提高轻负载条件下的效率。自适应的死区时间控制能够进一步地提高效率。保护功能包括UVLO、击穿保护,热报警功能可在结温过高时对系统发出报警信号。

SiC769中集成的驱动IC和功率MOSFET降低了功率损耗,减轻了与高频分立功率级相关的寄生阻抗的影响。SiC769还采用了先进的封装,与竞争技术相比,将封装中的功率损耗减少了30%。设计者可以对高频开关进行优化,改善瞬态响应,节约输出滤波器器件的成本,并实现在多相Vcore应用中最高的功率密度。这样可以节约PCB面积,为使用者的核心竞争技术提供更多的施展空间。

SiC769现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十周。


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