凌力尔特推出同步降压DC/DC控制器LTC3854

上网时间: 2009年05月22日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出纤巧 2mm×3mm DFN-12 封装、宽输入电压范围同步降压型开关DC/DC控制器LTC3854,该器件能驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。4V 至 38V 的输入范围满足多种应用需求,包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上 MOSFET 栅极驱动器使大功率外部 MOSFET 能够用范围为 0.8V 至 5.5V 的输出电压产生高达 20A 的输出电流。这使 LTC3854 非常适用于数据通信、电信、工业、汽车、医疗和多功能打印机应用中的负载点调节需求。

恒定频率电流模式架构提供固定的 400kHz 工作频率。LTC3854 具有一个片上 5V 稳压器,从而无需独立的偏置电压为该芯片供电。OPTI-LOOP 补偿允许瞬态响应在宽输出电容和 ESR 值范围内得到优化,包括全陶瓷电容器设计。输出电流检测测量输出电感器 (DCR) 或一个可选检测电阻两端的压降。在短路和过载情况下,电流折返限制了 MOSFET 热耗散。此外,LTC3854 具有可调软启动,以控制接通时间并控制浪涌电流。可选连续或断续电感器电流模式可用来安全地为预偏置负载供电。防贯通保护防止功率 MOSFET 中的贯通电流。LTC3854 以高达 96% 的占空比工作,具有非常低的压差电压,以延长电池供电应用的运行时间。LTC3854 具有一个精确的 0.8V 基准,在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内具有 ±1% 的准确度。

性能概要:LTC3854

·VIN 范围:4V 至 38V

·VOUT 范围:0.8V 至 5.5V

·强大的片上 N 沟道 MOSFET 驱动器

·内置 5V 稳压器

·小型 2mm×3mm DFN-12 封装

·防贯通保护

·电流模式控制

·安全地为预偏置负载供电

·DCR 或 RSENSE 电流检测选项

·输出折返电流限制

·可编程软启动

·40kHz 固定工作频率

·96% 最大占空比

·在 -40℃ 至 +85℃ 的温度范围内具有 ±1% 的基准电压准确度


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