士兰微电子推出新一代S-RinTM系列高压VDMOS

上网时间: 2009年05月20日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:士兰微电子? S-RinTM? MOSFET?

士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——S-RinTM系列高压VDMOS。这是士兰微电子历经多年的自主研发所推出的第三代高压MOSFET产品。相比较于前两代的产品,S-RinTM系列高压VDMOS产品性能更加优越,工作电压可以覆盖400V—900V区间,可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性;具有高可靠性,高效率,高EAS能力,导通电阻低,动态参数优等特点,已被广泛应用于AC-DC功率电源,DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。

S-RinTM产品采用了条形元胞结构,并优化了元胞的工艺及设计尺寸。相对于采用其他结构元胞的器件,在EAS能力方面具有较大的优势;此外,由于采用了尺寸较小的GR环作为其保护环,这样在相同规格的条件下,S-RinTM产品就具有相对较小的芯片面积,这一优势能有效降低成本,增加芯片的利用效率。

该系列产品优化了栅氧化层的厚度和工艺质量,提高了栅源击穿电压,从而提高了可靠性指标,并改善了器件的易损性;其突出表现在于对IDSS漏电的控制。与其他公司同类型的产品相比,S-RinTM产品在经过HTRB可靠性试验后,IDSS仍然可以维持在几纳安到十几纳安非常小的水平,且相对试验前,基本不会增大,这就在很大程度上保证了器件在长时间工作之后,不会因为漏电增大失效而影响其正常使用。

此外,S-RinTM产品通过在工艺上对N-JFET的调整,减小JFET效应,使得器件的导通电阻减小,从而降低了器件工作时的温升,提高了AC-DC系统的转换效率。对多晶栅进行了重掺杂处理,以提高器件的响应速度,从而使该系列产品在动态参数方面表现出了一定的优势。


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