NAND厂商排名预测:三星稳居市占龙头

上网时间: 2009年04月27日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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研究机构集邦科技(DRAMeXchange)针对NAND Flash产业发表最新研究报告指出,估计三星(Samsung)今年稳居全球市占率龙头,而海力士(Hynix)因为大幅减产,市占率恐将下滑至第五名。

集邦科技指出,根据各NAND Flash供货商目前的制程技术、产能、营运状况分析,三星因为拥有较大产能和制程持续转往42nm及3xnm,预期今年市占率40%以上居冠,日本东芝(Toshiba)与美国SanDisk联盟的产能利用率略降,但制程技术也将转往43nm及32nm,预期东芝今年的市占率约在30%以上居次。

集邦科技表示,市占率第三和第四名预期为美国的美光(Micron)和英特尔(Intel),由于制程技术大量地转向34nm,预计这两家公司今年的市占率提升至10%以上,而去年市占率第三的海力士,则因为去年大幅减产8寸产能,且今年的制程技术仍以4xnm为主,因此估计市占率预期会在10%,排名下滑至第五名。

由于去年NAND Flash面临供过于求,价格下滑的窘境,厂商纷纷宣布淘汰部份8寸产能,暂缓扩充12寸厂,或进行年度的岁修,集邦科技表示,目前各厂商均加速淘汰8寸厂产能,在12寸厂方面,三星暂无增产计划,预计东芝及SanDisk阵营也维持保守态度。

英特尔和美光两家公司合资成立的IM Flash Technologies(IMFT)方面,集邦科技估计,今年维持12寸厂产能不变,制程技术升级可望使产出成长,IMFT在新加坡的12寸厂将延至2010年再决定是否运作,海力士今年只有少量12寸厂产能生产高容量MLC产品,因为近期财务资金较吃紧,目前还没有计划新增晶圆产能。

再从营运方面分析,集邦科技表示,由于经济规模优势,三星的生产成本比同业更具竞争力,并规划增加更多电子系统厂的客户,以消化产能;东芝及SanDisk合资的总晶圆投片量略小于三星的水准,因此获利能力略低于三星。

IMFT的合资晶圆投片量虽然在海力士减产后,今年可望成为第三大阵营,但集邦科技表示,IMFT规模经济还没赶上前两大业者,因此今年将加速进入34nm制程,来改善成本优势与获利,未来则以提高计算机系统厂商的应用为方向。

海力士在生产高容量产品的成本上较不具竞争力,因此去年下半年已大幅减产8寸产能,以降低损失,由于产出量已经缩小,未来将会以寻求系统产品及利基市场的应用为主。

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NAND厂商排名预测

在制程技术方面,集邦科技表示,三星目前以42nm和51nm为主要制程生产NAND Flash高容量产品,同时也计划今年第二季底前推出使用42nm制程的3bit/cell 32Gb的NAND Flash产品,第三季中开始采用3xnm制程生产32Gb MLC。

理论上,3bit/cell MLC虽具有低成本的优点,但在读写速度和耐久性的表现上都不如2bit/cell,且3bit/cell的良率也可能不如2bit/cell。

东芝及SanDisk阵营目前旗下两座12寸厂的产能多已进入43nm制程,并计划在今年第三季中开始采用32nm制程技术小量生产32Gb MLC,计划下半年使用32nm制程技术生产3bit/cell MLC产品。

东芝初期会先以低价的记忆卡及UFD等应用市场为主,但SanDisk因为是3bit/cell & 4bit/cell技术的倡导者,且自身也以记忆卡及UFD销售为主,所以在这些产品的推广及应用比例上会比其它厂商积极。

IMFT今年首季正式量产34nm制程技术生产32Gb MLC,暂时取得NAND Flash制程技术领先的地位,计划在2010上半年才会开始使用2xnm制程技术,生产更高容量6?Gb MLC的产品,以开发2xnm制程的2-bit/cell为优先考量,对3-bit/cell MLC则以研发为主。

IM Flash也已将微影设备技术由4xnm级的浸润式微影设备世代,推进到3xnm级双重图形曝光技术的世代。

海力士目前仅有一座12寸厂M11,今年第二季进入41nm制程小量试产32Gb MLC产品,等到41nm制程技术和良率稳定后,预计在下半年正式量产。海力士也计划采用48nm的制程技术先行试产3bit/cell MLC产品,然后逐渐转进到41nm制程。

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    海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位。 目前在世界各地有销售法人和办事处,共有员工15000人。

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