一月下旬合约价可望持平

上网时间: 2009年01月21日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DDR2? DDR3? NAND Flash?

上周现货市场交投相当清淡,DDR2 1Gb eTT小幅下滑至0.97美元,跌幅约4%左右,DDR2 667Mhz 1Gb维持平盘约落在0.85美元左右,由整体市场面来分析,由于中国市场补货潮已经进入尾声,整体交易量不多,加上中国新年将近,现货市场交易量的提升仍需静待年后的表现。而在合约市场方面,随着一月上旬合约价的持平,DDR2 667Mhz 1GB与2GB均价约8美元与16美元,亦中止连续七个月下跌的走势,近日更传出某韩系大厂有意加入减产的行列达10%-20%左右,合约价格筑底态势形成,一月合约价可望持平,二、三月酝酿真正的反弹契机。

DDR3迈入主流规格将可能递延至2010年

对于DRAM产业来说,2008年绝对是惨淡经营的一年,整体市况的供过于求与下半年的金融风暴吹袭之下,不光DDR2 1Gb eTT颗粒价格从高点的2.15美元曾经下滑至0.59美元,跌幅达73%,DDR3颗粒价格也因DDR2颗粒价格严重下滑而受到牵连,光第四季DDR3 1066Mhz 1GB合约价就从10月的13美元下滑至12月的8美元,跌幅将近40%,12月时更等同DDR2 667Mhz 1GB合约价,就产品的世代交代来看绝不常见,也凸显了整体DRAM市场面临的严峻考验。

就规格面来分析,与DDR2相比,DDR3拥有高频率与低电压的优点,可惜DDR3的推展却屡遭困难,从DRAM市场的供过于求到全球市场的不景气,让DDR3迈入主流的时程一直延后,所以集邦科技根据当前DDR3的市场与未来进展逐步分析。

1. 从供给面来分析,随着DRAM厂樽节成本之际也将大砍2009资本支出,根据集邦科技统计,今年全球DRAM产业支出预估约70亿美元左右,比2008年的135亿美元减少将近50%,也意味着各DRAM厂将无余力大笔购入新机台用于扩张DDR3产能,资本支出仅将用于颗粒的微缩制程与持续生产DDR2颗粒,集邦预估今年年底DDR3市占率可达28%,DDR2约50%;整年平均DDR3颗粒市占率约17%,而DDR2颗粒仍有60%左右的市占率。

2. 而从需求面来分析,随着大环境的不景气,今年全球除了上网本(Netbook)仍有机会大幅增长超过100%外,主机板(MB)与笔记本电脑(NB)预估皆为负增长17%与2%左右,但全球上网本当道的同时,不光削弱了整体PC市场内存的搭载量,无形中也阻碍了DDR3颗粒迈入主流之路。

3. 零售市场方面,虽然12月DDR3的合约价等同DDR2的价格,但此价格毕竟是DRAM厂提供给PC OEM厂的合约价格,以零售市场1GB内存模块为例,DDR3内存模块价格约落在20-25美元左右,仍是高出DDR2内存模块价格10-15美元许多,加上主机板厂商都将支持DDR3主机板的价格定位在200-300美元左右,也远比主流DDR2主机板价位70-100美元为高,零售市场出货量方面,模块厂表示由于需求不佳,现今DDR3模块的出货量仍不到整体出货量的1%,更让DDR3扩展市场不易。

4. 而在芯片组方面,随着英特尔(Intel)X58系列市场销售不如预期,原本于2009年中开始对于中高阶市场不推出支持DDR2的计划也将可能延后,加上DRAM厂间DDR3转进速度不如当初所预期,DDR2颗粒将还是今年的市场主流,而DDR3颗粒迈入主流规格将可能递延至2010年。

一月下旬合约价可望持平_ESMCOL_1

供给增长减速及2H09需求回温将有助NAND Flash价格止稳回升

在全球金融风暴的阴影笼罩下,使得2H08传统电子业旺季备货需求已不如往年的增长幅度, NAND Flash价格在旺季需求不如预期及下游客户去化库存的双重影响下,3Q08及4Q08价格均下滑约30% QoQ以上,多数NAND Flash供货商在3Q08已出现亏损的的情况,2008年9月Hynix 首先宣布将淘汰部分200mm 厂的NAND Flash产量,4Q08随着市场对2009年全球景气预期更趋保守,IM Flash也在2008年10月宣布其200mm 厂房将停止生产NAND Flash,同时也把新的300mm NAND Flash厂房的投产时程由4Q09延后到1Q10,由于一些下游电子领导厂商也开始陆续下修2009年的电子产品出货量预期,2008年12月时Toshiba/Sandisk阵营也宣布将自 2009年1月减产约30% MoM的NAND Flash产量,同时 Samsung 2009年也将会按原定计划继续逐渐淘汰200mm 厂的NAND Flash产量,预估1Q09晶圆总产量将比4Q08减少约10% QoQ左右。

在全球经济不景气及金融市场筹资难度增高的低迷氛围下,NAND Flash厂商对2009年的供给策略多是采用淘汰成本竞争优势较差的200mm厂房设备,暂缓扩充300mm厂房的产能,而以提升现有300mm厂房的制程技术来增加位产出量,以达到降低资本支出及减缓位产出增长速度的双重目的,因此我们预估4Q08及1Q09 NAND Flash 200mm晶圆产能将分别减少约20% QoQ,预期1Q09时200mm晶圆产量将降到NAND Flash总晶圆产量的20%以下,也使得8Gb MLC 以下的低容量NAND Flash颗粒在1Q09的产出量将明显的减少,同时随着4xnm将在2Q09成为 300mm厂房的主流制程技术后,16Gb MLC以上的高容量产出比重也将持续增加,随着微缩制程难度的增加,预期3xnm制程技术要到4Q09时生产比重才会有明显的提升,由于2009年总体环境不确定因素仍多,所以NAND Flash市场的能见度也不高,因此多数NAND Flash供货商原则上将会以整体市场需求的增长幅度为参考区间,而来调整各自的产出增长目标,同时对2H09的产能规划也将视市场需求的复元情况而定,我们预估NAND Flash位元供给增长率将由2008年的132.1% yoy减缓到2009年的65.4% yoy。

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虽然2009年多数NAND Flash终端的应用产品出货量将比2008年小幅衰退,且新的杀手级应用产品SSD的市场仍小,但在2008年NAND Flash价格累计降幅颇大的情况下,将使2009年NAND Flash在各种应用产品的搭配容量持续的提升,因此预估NAND Flash位元需求增长率将由2008年的120% yoy减缓到2009年的77.5% yoy,1H09在淡季效应及全球不景气的双重冲击下,虽然供货商已在4Q08提前做了一些减产及岁修的措施来因应,但在需求及供给同时减少的状况下,集邦预期1H09 时NAND Flash市场仍将呈现供过于求的情况,因此农历年前急速反弹的合约价格 , 在 1Q09 的支撑及续航力道,仍需视后续市场需求回温的程度而定,2H09由于2H08的市场需求比较基期低,因此预期2H09 NAND Flash相关产品市场的改善状况将会比1H09来得好,若届时供货商能够节制产能的扩充速度,预期价格可望随着2H09 NAND Flash市场的供需转趋平衡或小缺的情况下,在2H旺季需求的带动下逐步回升。

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1月下旬NAND Flash合约价简评

1月下旬NAND Flash合约价持续地反弹,主要反应近期供货商减产效应的持续发酵及客户在中国农历年前的补货需求回温,为因应中国农历年前的客户铺货作业,多数厂商也提前开出1月下旬的NAND Flash合约价,虽然目前市场对低容量NAND Flash的需求已在递减,但在近期NAND Flash供货商宣布4Q08及1Q09将陆续淘汰约20% QoQ 200mm NAND Flash晶圆产量消息的激励下,8Gb MLC & 4Gb MLC的平均合约价上涨幅度分别达到26-30%,此次的减产在8寸的比例最高,造成4Gb & 8Gb MLC的NAND Flash供应量大减,所以价格的涨价幅度最大。

此外,在1月客户库存已降低到正常水位后,1月中旬也开始回补农历年的所需库存,再加上先前Toshiba/SanDisk阵营宣布1月减产30% MoM 300mm NAND Flash产量消息的预期心理下,其它高容量MLC产品的平均合约价上涨约在5-15%,至于市场需求量已经降低的SLC产品,此次合约价则大致呈现小幅上涨的情况。

自4Q08以来NAND Flash厂商陆续宣布的一些减产或岁修措施,预计将使1Q09的NAND Flash晶圆产量减少约10% QoQ,因此也激励了低迷的NAND Flash市场,而在12月下旬开始出现了止跌反弹的情况,虽然1Q09供给及需求都将同时减少,使得1Q09 NAND Flash市场仍将处于淡季供过于求的状况,但农历年前在减产效应及客户库存水位较低的情况下,预期短期内价格仍可望呈现持稳的状况,由于目前市场对1Q09传统淡季的需求仍倾向保守,因此1月后的NAND Flash价格的后续支撑力道,仍将视整体市场需求的回温程度而定。

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  • DDR2是什么意思
  • DDR2(Double Data Rate 2)是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

  • DDR3是什么意思
  • DDR3是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。DDR3在DDR2的基础上继承发展而来,其数据传输速度为DDR2的两倍。同时,DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大,达到512Mb至8Gb,从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。此外,DDR3的工作电压降低为1.5V,比采用1.8V的DDR2省电30%左右。

  • 什么是NAND Flash
  • NAND Flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,具有很快的写入和擦除速度,主要功能是存储资料,目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。

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