英飞凌推出用于LTE和3G的两颗射频芯片

上网时间: 2009年01月22日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:英飞凌? 射频发射器件?

近日,英飞凌(Infineon)科技股份公司在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部宣布,其研发的第二代用于LTE(Long-Term-Evolution)设备的射频发射器件SMARTi LU已可以向客户提供样片。SMARTi LU作为一颗采用65nm技术CMOS工艺的单芯片射频发射器件,能够全面满足2G/3G/LTE各项射频功能,其配置的DigRF数字接口能够与基带芯片直接连接,以充分达到LTE网络所要求的最高150兆比特每秒的网络传输速率。

与此同时,英飞凌在其久负盛名的3G射频发射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新产品:SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro为超低端3G终端进行了专门的产品优化,采用该器件后,双波段WCAMA/EDGE终端设备的电子射频器件成本可以降低到6.50美元之下。这与目前市场上现有方案相比,成本上有超过40%的下降。

SMARTi LU是一颗符合3GPP Rel.7和Rel.8规范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射频发射器件。这颗芯片在支持四波段GSM/EDGE的同时,还可以同时支持六个3G和LTE波段。在该芯片丰富的功能列表中,包括LTE FDD class 5(下行速率最大可达150兆比特每秒,上行速率最大可达50兆比特每秒)、MIMO Rx diversity(两个下行+一个上行)、HSPA+、HSPA、WCDMA和 GSM/GPRS/EDGE。该芯片如此广泛的射频波段支持能力,使其能够极好地与全球HSPA/LTE网络无缝配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4标准的数字基带芯片接口,为手机系统设计“全数字化”树立了一个新的里程碑,使得基带芯片设计向进一步集成化、向32nm或更精密半导体技术前进提供了保障。SMARTi LU基于全球主要半导体生产厂商共同遵循的65nm生产工艺,样片和性能测试报告计划在今年巴塞罗那全球无线大会上全面展示。


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  • 英飞凌科技有限公司
  • 英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,至今在世界拥有35,600多名员工,2004财年公司营业额达71.9亿欧元,是全球领先的半导体公司之一。作为国际半导体产业创新的领导者,英飞凌为有线和无线通信、汽车及工业电子、内存、计算机安全以及芯片卡市场提供先进的半导体产品及完整的系统解决方案。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发,全球共拥有41,000项专利。自从1996年在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,目前在中国已经拥有8家公司和1700多名员工,主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。

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