2009年全球DRAM产业资本支出预估削减40%-50%

上网时间: 2009年01月07日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DRAM产业? 资本支出? NAND Flash?

现货市场方面DDR2 1G eTT自十二月中开始起涨,颗粒价格从低点的0.59美元上涨至今0.91美元,涨幅将近55%,DDR2 667Mhz 1Gb亦不徨多让,价格也从0.58美元上涨至0.77美元,涨幅约33%,由市场面来观察,虽然近期适逢圣诞假期与新年关系,欧美市场陆续休兵,虽仅剩亚洲市场独撑大局,并未出现大幅下跌的走向,整体现货颗粒价格仍持续走稳上扬。再者,以现货市场为主的台系DRAM继续控制出货量的方针依然不变,原因在于以目前的颗粒价格来说,仍未达到厂商的1.3-1.5美元的现金成本,为了保有现金与价格水位,出货量的控制将有再继续的必要性。由减产方面来观察,自力晶九月宣布减产后,尔必达、茂德、南科与华亚科陆续跟进,全球DRAM厂合计减产近20%,其中又以台系DRAM厂减产幅度最高达29%,加上台系DRAM厂有较高比例的颗粒供给现货市场,现货供给已锐减了36%,比合约市场供给减少19%幅度更为惊人,待欧美市场归队后及中国新年补货潮双重影响下,对现货市场后市的发展绝对有正面的帮助。

而在合约市场方面,随着现货市场颗粒价格持续走扬趋稳,DRAM厂间希望藉此抑住持续走跌的合约价格,但适逢第一季为PC产业传统淡季加上全球金融风暴影响,众多PC OEM厂已经下修出货目标,甚至笔记型计算机市场不排除由原先2008年超过20%的高增长率转变为负增长,更增添一月上旬合约价议定时的不确定性,目前,在现货价上涨动能带动下,数家DRAM厂均表示意图调涨一月上旬的合约价至少0.5美元,由7.5美元到8美元,约6-7%,正积极与PC OEM买方谈判中。

随着迈入2009年,各家DRAM厂资本支出的部分也将于第一季陆续公布,虽然2008年第四季的财报尚未公布,但面对着全球DRAM产业2008年一到三季将近80亿美元的亏损,资本支出的削减势必无可避免,预估全球资本支出将削减40%-50%。台系厂方面,力晶与瑞晶将50nm制程计划递延,今年只做65nm的微缩制程,除了保有竞争力更可大幅降低资本支出,南亚与华亚科因转进美光堆栈式技术关系资本支出虽无法大幅降低资本支出,可能将技术的转进分次到位,68nm技术为先,50nm依市场状况而定。而国际厂方面,尔必达方面除了DDR3将转进50nm制程外,DDR2也将维持原有的65nm与70nm制程,三星方面目前也有计划削减资本支出,势必影响着68nm转进56nm制程与提升DDR3市占率的计划。

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NAND Flash供货商减产和库存降低,使12月下旬主流颗粒现货价出现跌深反弹

NAND Flash现货市场于12月下半月出现主流颗粒MLC 8Gb与16Gb分别大涨38.5%和23.6%。根据我们的观察,这波市场价格跌深反弹主要归功于:

1. 日系供货商东芝12月16日正式公布该公司09年1月开始进行岁修和减产约三成的计划。

2. 在其它供货商也陆续淘汰了部份8寸厂产能的效应下,NAND Flash上游供货商于12月持续降低颗粒的供货数量,且厂商也进行策略性的调低获利性较差的产品生产比重。

3. 多数下游业者的存货普遍已经降至约2至3周,库存水位已恢复正常。

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NAND Flash市占率排名第二的东芝于去年12月16日对外发布从去年底开始对其两座12寸Fab厂进行13天和两座8寸Fab厂进行4天的停产岁修,该公司并会持续视市场的需求变化来调整其生产线的产能状况,东芝预期这次的停产岁修将会对其09年1月之后的产出减少3成左右。2008年12月除东芝宣布停产岁修的消息外,较早之前其它上游业者进行旗下8寸Fab厂停产所造成的产出减少效应在12月也明显的发酵,而此时多数下游业者的NAND Flash颗粒存货天数也已经调降至两2至3周的正常水平。由于东芝的减产消息加上其它供货商的供货数量持续往下,使得下游业者预期09年第一季NAND Flash颗粒的供应将明显地下滑。在预期09年第一季可能会出现供货量减少的状况下,部分市场人士开始适度地回补NAND Flash颗粒的库存,之前跌幅较深的主流颗粒8Gb和16Gb MLC现货价格从12月17日到31日两周内分别涨了38.5%和23.6%。

目前时间已进入09年1月,NAND Flash市场的价格能否持续上月的涨势仍视市场供需两端的变化而定。从需求面来看,第一季向来为传统淡季加上今年仍受去年金融风暴的影响,我们预期手机、数码相机、随身碟和MP3/PMP等主要应用今年第一季的出货状况普遍会比去年第四季下滑10至25%。从供给面来看,多数厂商都将减少晶圆的产出量,因此预估1Q09晶圆产量将比4Q08减少约10%,我们预估09年第一季NAND Flash市场状况将是供过于求6.8%。因此,若未来市场需求能回温的话,预期1月NAND Flash的市场价格仍将持稳,部份产品有机会持续反弹。

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DT显卡内存容量提升,无助于内存用量

个人计算机低价化趋势以及整合型北桥芯片效能的提升,促使台式机(DT)的绘图核心采用整合型芯片产品,占系统出货达八成以上,然独立显卡出货规模在近两年占DT仍有四成五水平,显示多媒体娱乐的应用,使得消费者对显卡有其升级需求。

然而2008下半年,受全球景气下滑影响,各家厂商下半年PC出货目标不断下修,连带独立型显卡出货量也纷纷未能达成。2008年原预估市场规模为80M,目前达标率约九成,70M-72M,较2007年下跌8%。展望2009年出货规模,随笔记本电脑持续在消费市场增长,削弱DT的需求,独立显卡需求也随之减少,外加景气何时回温尚不确定之下,消费者支出紧缩,使得DT 独显卡占DT出货比重将下降至35%-40%,市场规模预估为50M-55M,跌幅预估二至三成。

DT显卡搭载内存容量部分,2008下半年GPU两大厂NVidia、AMD推出的新产品线,主流产品内存容量皆以512MB为主(Figure-5),容量与前一代GF8000系列、HD3000系列中高端产品相等。藉由新旧产品的交替,DT显卡内存容量由256MB渐渐被512MB所取代,后者将成为2009年市场主流容量。

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因此观察DT显卡的内存2009年增长性,虽然显卡单片搭载容量仍有两位数增长,但在显卡市场规模大幅下滑情况下,内存需求量将呈持平或小幅下跌。

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