2008年DRAM产业重大事件回顾
上网时间: 2008年12月31日? 我来评论 【字号: 大 ?中 ?小】1. DRAM颗粒价格2008年下滑近75%,全球前三季DRAM产业合计亏损逾80亿美金
DRAM 667MHz 1Gb颗粒价格从高点时的2.29美元下滑至最低0.58美元,下滑了近75%,不仅跌破厂商现金成本1美元(不计折旧成本),甚至逼近了后端封测价格0.6-0.7美元,让DRAM厂出现营运危机,全球前三季DRAM产业合计亏损已逾80亿美金。
2. 南亚科舍奇梦达,美光正式入主华亚科取得一半产能
3月3日南亚科正式与美光结盟,宣布共同开发50nm以下的新制品,意味奇梦达与华亚科关系也将产生变化,同年10月12日美光正式宣布取得奇梦达在华亚科的35.6%的股份,总值约4亿美元,以美光技术为首的阵营正式成立。
3. 堆栈式技术领天下,沟槽式技术式微
2006年沟槽式技术阵营的市占率曾经高达23%,随着技术开发遇到瓶颈,落后堆栈式技术半年至一年的时间,至2008年时市占率已下滑至8%,表示堆栈式技术亦有92%的市占率,同年奇梦达亦宣布Buried Wordline技术,正式宣布沟槽式技术将步入历史。
4. 产能供过于求,减产效应启动
自力晶九月率先宣布减产之后,尔必达、茂德、南科与华亚科陆续跟进后,全球DRAM厂合计减产近20%。台系DRAM厂商最为积极,减产幅度达29%居各区域之冠,减产不光可以保留现金渡过产业寒冬,更有助于加速消化市场现有库存,降低库存水位让价格回归市场正常机制。
5. 台美日大联盟、联合抗韩
三星于今年喊出位增长率100%后,挟带着全球DRAM产业龙头之位,莫不希望有其它DRAM厂可以退出市场,为求生存,台系厂和美光与尔必达等技术母厂更紧密的合作,进而形成以美光与尔必达为首的二大联盟,联合抗韩。
6. 政府纾困DRAM产业
DRAM产业已由企业间的竞争渐转为国与国的战争,德国奇梦达已经获得州政府(Saxony)、银行与母公司(Infineon)的奥援达4.55亿美元,韩国海力士亦获得债权银行近5.5亿美元金援,台湾政府方面也准备国发基金千亿纾困台湾DRAM产业。
2009年NAND Flash位增长持续下修至81%,终端应用产品需求面仍显疲弱
肇因于各项NAND Flash相关应用产品需求持续下滑,DRAMeXchange对2009年NAND Flash位元增长幅度持续下修,2008年9月预计为108.2%,10月份则微调至95.3%,11月持续下修至93%,12月份随着上游厂商持续减产,整体位元增长预计下降至81%。回顾过去几年NAND Flash位元增长的幅度,2006年为175%,2007年达到151%,2008年平均位元增长值为121%,对于2009年的预计与过去数年相较明显偏低,也反映出整体市场对消费性电子产品的需求明显下降。
从NAND Flash各项主要应用端的需求来看,主要应用产品出货量皆呈现下修的态势,以手机来看,2009年预计出货量约为11亿6千万支,出货量较2008年下滑5.4%,根据Nokia正式对外发布的预测,2008年手机整体增长下修5%,此外,Samsung与LG下修了2008年手机的出货量,分别调降了8%与12%。
数码相机部分,2009年预计出货量约可达到1亿4千4百万台,相较于过去几年的高度增长,年增长率明显下修。2007年的年增长率为21.3%,2008年则微幅下修至18.6%。对于2009年出货量的预测,Canon预计由2千5百万台下修至2千3百50万台,Sony也由2千6百万台下修为2千4百万台。
2009年随身碟出货量预计为1亿9千3百万台,较2008年增长9%,相较于2007年33%的年增长率与2008年26%的年增长率,2009年增长率将趋缓,由于2009年台式机与笔记本电脑的出货量持续下修,除了少数强调高容量与高速的产品仍保有一定增长外,有极大的增长动力将来自于赠品市场的需求。
其它相关应用,对于2009年MP3/PMP市场的预计,由于需求趋缓,2009年出货量预计为1亿2千万台,相较于2007年高达14%的增长率,2008年年增长率为-2.4%,2009年则为-9.8%,由于现阶段手机多可支持音乐播放功能,因而造成MP3/PMP需求逐季下滑;SSD部分,短期内仍将以工业市场应用为主,原本寄予厚望的低价计算机市场,由于价格与可靠度等考虑因素,短期内仍将以硬盘为主估,SSD占低价计算机的比重将小于10%。
12月下旬NAND Flash合约价评述
12月下旬NAND Flash合约价大约上涨0-20%,主要原因为近期主要NAND Flash供货商都表达将会减少晶圆的产出量,我们预计1Q09晶圆产量将会比4Q08减少约10%左右,同时供货商也将会调整NAND Flash的产品组合,他们计划调低获利性比较差的产品的生产比重,虽然目前整体NAND Flash市场采购需求仍然疲弱,但由于一些下游厂商的库存水位目前已经降到一个月以下,因此客户在预期供货商供货量将会减少的情况下,也开始适度的回补一些库存,因此部分NAND Flash颗粒出现了跌深反弹的状况,虽然目前市场对年终假期及中国农历新年假期的销售预期仍然保守,但在上游厂商减产效应的激励及下游客户库存水位已趋于健康的状况下,预期NAND Flash合约价格将可望呈现止跌回稳的状况。
- DDR2是什么意思
- 什么是DRAM产业?
- 什么是DRAM厂?
DDR2(Double Data Rate 2)是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
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