NAND Flash市场静待北京奥运后的旺季需求回暖

上网时间: 2008年07月30日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:北京奥运?

上周现货市场依然延续平稳的价格走势,价格表现疲软且交投相当低迷,DRAM价格依然呈现小幅涨跌互见的走势,DRAMeXchange统计7/22-7/28的现货价格,eTT价格方面,DDR2 eTT 512Mb呈现平稳的表现,价格维持在0.86美元,而DDR2 eTT 1Gb也从1.80美元上涨至1.82美元,涨幅约1.1%。而品牌颗粒的部分,DDR2 667 512Mb从0.95美元下跌至0.94美元,跌幅约1.1%,而DDR2 667 1Gb从1.96美元下跌至1.94美元,跌幅也约1.0%。

由市场面来观察,整体的现货市场的库存水位依然处于高档的状况,纵使现在时近需求旺季,现货颗粒仍未见强劲的需求,导致现货与合约价格出现近20%的价差,呈现截然不同的市场状况。主要的原因可由几点分析,1、现货市场的颗粒主要适用于组装市场(DIY)与升级市场为大宗,但随着笔记本电脑的出货量持续攀升,加上目前内存的搭载量已达1GB甚至于2GB,足以应付大部分消费者的需求,组装与升级市场受到严格的考验,间接挤压到现货市场颗粒的消化。2、全球因为次贷风暴与通货膨胀的影响下,总体经济景气的下滑考验着消费者的信心指数,在满足生活基本面的前提下,电子消费商品的购买力势必有所缩减,并影响到目前整体供需面的现况。3、以现货市场为主要销售对象的DRAM厂商,随着产能不断开出,但整体需求面表现疲弱,现货市场已无足够的胃纳量可以吸收多出来的颗粒,将使颗粒价格无反弹的力道外,更让后市的价格上涨不易。

综观各家DRAM厂的现况,除了三星继续维持100%的位增长率外,随着第二季法说陆续召开之后,大部分的DRAM厂皆调降自身的位增长率,并再次缩减资本支出或延缓盖厂的速度,以期渡过自2007年以来至今的寒冬,但DRAM厂仍凭借制程升级的方式使产能不断开出,供过于求的问题未能有效纾解下,唯有各家减产甚至退出市场,才有助于开启价格反弹的契机。

NAND Flash市场静待北京奥运后的旺季需求回暖_ESMCOL_1

NAND Flash市场静待北京奥运后的旺季需求回暖

上周NAND Flash大厂Samsung和SanDisk陆续发布今年第二季的财报数字,也发表对今年下半年NAND Flash市场需求的看法。由于Samsung和SanDisk的第二季获利状况不如预期,加上全球几个主要的经济体:北美、欧洲、中国、日本等区域的民众受油价持续飙高和通货膨胀恶化的影响,对一般消费性电子商品的购买力也连带减弱,使得Samsung和SanDisk对下半年NAND Flash市场的需求均抱持谨慎保守的态度。如此的看法也影响了最近一周NAND Flash现货市场的价格行情,多数主流颗粒的现货价格均仍持续走弱,此也反映出目前NAND Flash现货市场的买卖双方对近期内市场的价格和需求信心疲软。

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八月上旬中国举办2008北京奥运会,由于中国政府为维持奥运活动举办期间的国??全和对外形象问题,因此从五月就开始进行严格管控一般电子商品进入中国的管道,且加强取缔中国境内白牌手机业者的销售。此执行策略虽达到中国政府维护国??全和形象的目的,却也使得原本依附在白牌手机销售之下的闪存卡需求被抑制了。目前闪存卡的上下游业者多预期随着八月中奥运的结束,这个被抑制的消费需求会再度显现,届时将有机会促使NAND Flash市场价格做一波的反弹。此外,NAND Flash相关厂商库存水位的调控程度,八月中过后中国内地通路补货情况及传统4Q08电子旺季备货需求的强度,也将会对市场价格行情的表现有所影响。

NAND Flash七月下旬合约价评论

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7月下旬NAND Flash平均合约价大致呈现持平及部分小跌的状况。相对于6月份的剧跌而言,目前价格已出现初步止稳的状况,其主要原因为在6月底时NAND Flash供货商已做了策略性的季底大幅降价促销动作,且Apple 3G iPhone 7月中旬上市后的热卖效应,也对NAND Flash市场的信心产生了激励作用,使得价格开始渐渐止稳。但由于目前NAND Flash市场的能见度较低,因此买方为了控制库存水位,在采购上也采取比较谨慎的态度。有鉴于NAND Flash市场仍处于观望的气氛下,我们预期NAND Flash合约价短期内仍将呈现持平的状况,预期到3Q08中期后随着低价效应渐渐激发出传统旺季的买气后,价格才会随之逐步反弹。

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