飞兆针对便携应用推出MOSFET器件FDZ391P

上网时间: 2008年11月10日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:飞兆? MOSFET? FDZ391P?

为满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用1×1.5×0.4mm WL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P。该器件采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerTrench工艺设计,结合先进的WL-CSP封装,将RDS(ON)和所需的PCB空间减至最小。这款P沟道MOSFET器件的侧高比标准P沟道MOSFET降低40%,可满足下一代手机、MP3播放器和其它便携应用的纤细外形尺寸要求。该器件具有低RDS(ON)(74mOhm typical@-4.5V VGS),能够降低传导损耗并提供出色的功耗性能(1.9W)。

FDZ391P丰富了飞兆半导体广泛的便携设计解决方案,这些方案是节省空间和延长电池寿命所不可或缺的。凭借飞兆半导体在功率管理、信号调节和先进封装领域的丰富经验,这些产品可让设计人员显著减小外形尺寸,并提供出色的热性能和电气性能以满足便携应用的需求。这些解决方案包括μSerDes串化器/解串器、IntelliMAX先进负载开关、USB开关、DC-DC转换器、逻辑电平转换器和许多其它功率管理及信号调节技术。

FDZ391P采用无铅(Pb-free)端子,潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均满足欧盟有害物质限用指令(RoHS)的要求。

供货:现提供样品;交货期:收到订单后12至14周内。

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