Intersil推出轻负载效率MOSFET栅极驱动器ISL6622/A/B

上网时间: 2008年11月04日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:驱动器? Intersil? SL6622?

Intersil公司日前宣布,推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器,为英特尔VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。

ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力,以及快速上升/下降时间,支持高达1MHz的开关频率。这将有助于实现非常高的总体效率。

ISL6622结合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N沟道MOSFET,其先进PWM协议可为先进微处理器提供完整的内核电压稳压器解决方案。

ISL6622有助于实现提高轻负载效率所需PSI模式期间的二极管仿真操作,并通过电感器电流为零时的检测实现非连续导通模式(DCM)。当检测到“零”时,低侧MOSFET处于关断状态,以防止出现吸收电流并消除伴随反向电流的功率损失。Intersil的栅极电压优化技术(GVOT)还可用于PSI模式;通过降低栅极驱动电压,可以显著降低控制轻负载条件下总功耗损失的开关损耗。这增加了ISL6622提供的总效率。

这些PWM控制器还具有自适应击穿保护功能,以防止高低侧MOSFET的同时导通。此外,这些控制器还集成了一个20kΩ的高侧栅极至源极电阻器,以防止由于高输入总线差动电压引起的自导通。

与VCC同时操作的过压保护可以降至POR阈值:PHASE节点可通过一个10kΩ电阻器连接至低侧MOSFET(LGATE)的栅极,以使转换器的输出电压保持接近低侧MOSFET栅极阈值。这种能力可以防止出现负载高侧MOSFET短路的情形。

该驱动器采用具有不同驱动电压的两种封装类型。ISL6622采用8引线SOIC封装,可在正常PWM模式期间将高侧和低侧栅极驱动至VCC;在PSI模式时将低侧栅极降至固定5.75 V典型值。ISL6222A采用10引线DFN封装,通过UVCC引脚可以将高侧栅极驱动到5V至12V;低侧栅极有一个可选的电阻器,可以在PSI模式下驱动5.75V、6.75V和7.75V的典型电压。

此次推出的新系列MOSFET驱动器适用于采用英特尔处理器构建的各种服务器、工作站、台式机和游戏主板应用。同时,它们也是VRM应用的理想设计方案。

定价及供货情况

现已上市的ISL6622/A/B采用8引线SOIC封装,1,000定购批量的定价为每片1.00美元,而10引线DFN封装的1,000定购批量定价为每片1.07美元。

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  • 驱动其他器件或设备进行工作的器件,称为驱动器。

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  • Intersil公司简介
    Intersil公司于1999年8月成立,是Harris公司的子公司。Intersil公司充分利用它从Harris、GE Solid State和RCA所继承的智力资源,发挥它在模拟、混合信号、电源和抗辐射技术优势,为高速发展的通讯、电源和空间/军事防御领域提供先进的集成电路和分立半导体产品。
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    Intersil公司主营产品包括放大器、模拟前端、通信接口、数据转换器、数字电位计、显示方案、DSL解决方案、光学存储产品、实时时钟、智能电池、开关/多路复用器、VoIP(模拟声音讯号数字化)产品和军用集成电路、空间和抗辐射应用等。
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