英飞凌交付首款具有砷化镓性能的硅基CMOS射频开关BGS12A

上网时间: 2008年03月03日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:射频开关? 砷化镓?

英飞凌科技股份公司(Infineon)近日宣布,该公司正在批量供应第一款采用CMOS工艺在硅晶圆上制成的射频开关,这种射频开关具有与采用砷化镓(GaAs)工艺制成的射频开关相同的性能。迄今为止,CMOS射频开关只能采用专用的、价格昂贵的蓝宝石晶片制作才能达到砷化镓开关的性能。

全新产品系列中的第一款CMOS射频开关BGS12A采用微小间距晶圆级封装(WLP),其尺寸仅为0.79mm x 0.54mm,与市场上最小的GaAs射频开关相比,其印刷电路板(PCB)空间减少了60%左右。在包括手机、WLAN、WiMAX、GPS导航、蓝牙附件或遥控无钥匙进入系统在内的许多无线产品中,射频开关一般被用于实现收发数据、频段选择或天线多样性应用的切换,并且支持全球漫游。平均来说,每个移动设备一般需要配备一个射频开关。但是,一些高端多频手机需要配备多达四个射频开关。

英飞凌科技股份公司硅组件高级主管Michael Mauer表示:“英飞凌的CMOS射频开关采用小型芯片级封装,无需更多额外组件(比如电平转换器),从而为电路板设计节省了更多空间,随着现代多模式移动设备复杂度的不断增加,预计射频开关将在未来五年内取代今天的PIN二极管。”

据位于波士顿的美国市场调查机构Strategy Analytics的调查显示,2006年,射频开关全球市场规模约为20亿片,预计到2011年市场规模将翻番达到约40亿片。

英飞凌的新型射频开关采用独一无二的射频CMOS工艺制成,它将CMOS工艺的益处和杰出的射频性能结合起来,比如低插入损耗、低谐波失真、良好的绝缘性和高功率电平等特性。固有的CMOS优势包括高度集成能力、成本效益和优异的静电放电(ESD)耐受性。与现有的解决方案相比,CMOS射频开关具有最高的集成能力;比GaAs器件成本更低;由于电流损耗被大大减少,它比PIN二极管具有更长的电池使用时间。所有英飞凌射频开关都无需外部直流(DC)阻隔电容并且集成了全部控制逻辑。CMOS兼容逻辑电平(1.4 V-2.8 V)消除了对外部电平转换器的需要。

关于BGS12A

BGS12A是英飞凌新型CMOS射频开关系列的第一款产品。它是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关,可用于功率电平达20dBm(P-1dB高于30dBm)的应用。新型射频开关具有卓越射频性能,频率为1.0GHz时的插入损耗仅为0.3dB,而且还具有低谐波失真,良好的绝缘性(34dB,1.0GHz)以及小于4μs的快速开关时间。该开关的接口可以耐受1.5kV HBM(人体模型)静电放电(ESD),这可以提高制造商的移动设备产量并且获得需要的ESD水平。BGS12A是频率达3GHz的中低功率应用的理想选择。

定价和供货

BGS12A现已批量供应。购买1,000片的单价为0.70美元。

英飞凌将推出新型射频开关系列的其他产品,这些开关产品将采用其他封装类型,包括16管脚小型无引线封装(TSLP),38dBm的更高功率电平以及适用于多种无线产品的最多9个收发端口。其他产品的批量生产预计将于2008年下半年开始。

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