2008:巨型晶圆厂初露锋芒

上网时间: 2007年12月27日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:NAND闪存?

DRAM和Flash为代表的存储器平均销售价格(ASP)自去年年初以来经历了令人震惊的下滑。随着现货价格与合约价格不断创下新低,价格压力充斥着整个上一季度。由于价格走低,对于NAND闪存等存储器的需求正在升温。呈井喷之势的预测数字显示出我们当前正处在黎明前的黑暗阶段,一个巨大而不断增长的市场即将出现。某些预测显示NAND闪存需求量将从2006年7,370亿兆字节增长至2011年的33.5万亿兆字节。

大举扩产NAND闪存

低价同时也推动了需求的增长,使得部分厂商出现供给不足。以东芝(Toshiba)为例,该公司目前已经无法满足客户对NAND闪存的需求,据称断货会一直持续到12月份。对于未来,东芝预计NAND闪存比特增长率将在2008年和2009年分别出现120%和115%的跨越式增长。尽管对销售价格的下滑趋势十分担忧,该公司仍计划大规模扩充产能以满足高涨的需求。此外,来自韩国的芯片制造商们也正在将其部分DRAM产能调拨至NAND闪存。

三星跟往年一样在去年年中的时候增加了支出预算,将其去年年初69亿美元的资本支出计划(包括Austin)增至83.5亿美元的高位。台湾华邦电子虽不如三星那么大手笔,但也将其资本支出从2.45亿美元翻番至5.87亿美元。

存储器厂商推波助澜

除了三星,还有更多的存储器厂商不断地在这一市场煽风点火。力晶和尔必达合资成立的DRAM厂商瑞晶电子(Rexchip)正在将其大量开出的产能推向市场,类似的还有Toshiba与SanDisk联合成立Flash Alliance。瑞晶去年首座300mm晶圆厂投产,月产能为70,000片晶圆。这还只是该公司四座规划中的晶圆厂之一,第二座晶圆厂已经于去年7月动工兴建,预计将于2008年下半年投产。奇梦达则在去年年底开始动工建设其月产能为60,000片晶圆的新加坡300mm晶圆厂。

巨型晶圆厂的加速

Flash Alliance极有可能将加速其百万级晶圆厂,或被称为“巨型晶圆厂(Monster Fab)”的Fab 4(全球最大的晶圆厂,最大产能每月210,000片)的扩产,并且将有望在今年年中开始动工建设Fab 5(月产能亦为210,000片)。与ST Microelectronics一道,海力士打算去年年底将双方在中国无锡的300mm合资厂月产能扩充至80,000片的最高水平。此外他们还将把位于韩国仁川(Icheon)的Fab M10改造成月产能110,000片的300mm晶圆厂。

供给过剩的担忧

不少存储器厂商正在通过建设规模更大的晶圆厂来推动这一市场。事实上,很多厂商也对此顾虑重重,因为他们担心此举将进一步加速平均销售价格的下跌。在一个价格疲软的环境下,即使市场份额能够扩大,厂商也难以真正高兴起来。对于供给过剩的担忧如今已浮出水面,iSuppli等公司最近都曾指出“供给过渡将存储器市场推向深渊”。

随着市场受到冲击,各厂商纷纷以各种方式应对,试图使自身产出满足预期的需求。有的公司不得不削减资本支出,只有少数公司能够有足够的底气开出更大额的支票。

在2007年实现8%的年增长率之后,2008年晶圆厂建设项目方面的支出将出现停滞,甚至还有可能出现个位数的负增长。晶圆厂设备采购方面的支出则可能在经历2007年8%的年度增长之后在2008年出现10%的负增长。

许多公司开始通过削减支出、重组、加速提高生产效率等降低成本的努力来应对趋缓的市场环境。有的开始进行大规模裁员(如最近三星宣布裁员1,630人,Conexant打算裁员20%,美光也有裁员约10%的计划)。部分厂商则寻求削减支出,如台湾茂德近日即宣布2008年资本支出将由2007年的18亿美元大幅削减至8亿美元。奇梦达最近也承认2008财年资本支出水平将会低于2007财年。

代工厂削减资本支出

与此同时,我们预计四大晶圆代工厂商台积电、联电、中芯国际和特许半导体均将削减其资本支出,维持或进一步提升较高的产能利用率水平。台积电、联电和特许半导体总共可望将2008年资本支出减少10%以上。至于中芯国际晶圆厂的支出,包括其以代管模式经营的晶圆厂,则取决于该公司的合作伙伴以及融资情况。

尽管联电将加大某些关键的、资本密集型设备上的投入,并通过重点将旧制程技术转化为更先进的制程技术而扩充产能,联电仍然宣布2008年资本支出将显著减少。我们仍期待联电将于2008年末开始为Fab 12B移入设备(Fab 12B目前正处于建设中)。今年,台积电将完成Fab 14第二阶段的产能扩充,并将开始第三阶段的扩产。两者预计均会带来最多4万片至4.5万片的月产能。中芯国际和特许半导体则宣布将对未来短期内资本支出进行集约型管理。

产能预测

2007年全球晶圆厂产能增长率接近20%,2008年还将进一步新增11%。全球已投产总产能方面,存储器产能增长率将从2007年的38%增加至2008年41%。日本在2007年和2008年均拥有全球最大的已投产产能,折合成8寸晶圆分别为每月350万片晶圆和380万片晶圆以上。紧随其后的是台湾和韩国,月产能在2007年分别为250万片和260万片,在2008年则分别为280万片和270万片。美国作为第四大晶圆产出地区,2007年的月产能为240万片,2008年预计将达到270万片。

尽管我们的统计显示2008年增长有所放缓,这一趋势仍有望出现变化。许多公司(并非所有公司)增速下降,或者紧缩开支以应对下滑的市场。但是只要市场出现改善迹象,这一切便有可能很快改变。半导体产业不断成熟意味着它能够比以前更快地对市场变化做出反应。


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  • 什么是NAND闪存?
  • NAND flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,具有很快的写入和擦除速度,主要功能是存储资料,目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。

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