络达射频芯片AL8160集成了两套同频段的功率放大器

上网时间: 2007年01月11日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:射频芯片? AL8160? RF IC?

络达科技(Airoha Technology)日前开发出高集成度的IEEE 802.11n RF IC---AL8160。AL8160符合WLAN IEEE 802.11n规范,操作频率在2.4GHz,集成了两套发送器及三套接收器(2 Transmitters and 3 Receivers,2T3R)以对应802.11n之MIMO (Multiple Input, Multiple Output)操作模式。该芯片采用硅锗(SiGe)制程,延续络达一贯高整合度的特色,集成了VCO (Voltage control Oscillator)、LNA(Low Noise Amplifier)、Balun、Loop filter....等众多RF组件。

据络达表示,该芯片是全球第一,也是唯一能集成了两套同频段之功率放大器(Power Amplifier,PA)的RF IC。以市面上现有之802.11n解决方案为例,由于其所使用之RF IC整合度不如AL8160,外部均需搭配昂贵之Front-End module (集成LNA、PA及一些无源器件;AL8160则将PA及LNA皆集成进IC内部)。因此AL8160不但所需关键外部器件较其它厂商的802.11n RF IC要来得少,也同时大幅减少外部料成本(BOM, Bill of Material)至原本的1/7,并简化设计且有效提高生产良率。

络达科技总经理吕向正表示,相较于802.11a/b/g,802.11n的规范更加严格。为了支持MIMO的操作模式,以达到提高传输速率及扩大联机范围。对于RF部份的性能也有更多的要求。络达所推出的AL8160不但集成度极高之外,另一个最大特色是极佳的性能。

以802.11n最重视的指标EVM(Error Vector Magnitude,误差向量幅度,其数值以低者为佳)来说,AL8160在发送时的EVM,可达到-29dB(包含内建PA)。而在接收时的EVM,更可以低达-34dB。因此使用AL8160的802.11n的设计方案,将能完全发挥出MIMO倍增传输速率的功效,使得传输速率为以往的数倍之多(与现今主流之802.11g相比较,可高达七倍)。甚至更可以改善目前802.11a/b/g传输速率随联机距离而剧降的情形,而使联机范围更加广阔。

此外AL8160采用8mm×8mm QFN封装,与现有802.11n RF IC方案相比,不仅IC面积缩小,加上外部器件大幅减少的优势,除了整体设计方案所占面积大幅减小,系统厂更可以省下可观的用料成本,大幅提升解决方案的竞争力。该产品目前正与合作伙伴搭配当中,预计2007第一季提供样品。

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