IR的IRF66?3TRPbF DirectFET MOSFET散热效率高体积小

上网时间: 2006年12月27日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:DirectFET? MOSFET?

国际整流器公司(International Rectifier,IR)推出最新150V DirectFET MOSFET IRF66?3PbF,适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。新型DirectFET器件采用IR先进的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅,额定电流可达35A,其散热表现更加卓越且效率更高,而占板面积则只相当于扁平型SO-8封装。

IR亚太区高级销售总监曾海邦表示:“IR DirectFET系列的最新器件通过持续改善影响功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的关键参数,将传导、开关及反向恢复损耗降至最低。这些改进不仅可保证器件在较高电流电平下工作,同时也保持了单个MOSFET的小巧体积。由于电路板的面积减少了50%以上,因此现在一个DirectFET MOSFET可替代2-3个SO-8封装器件。”

该器件的典型10V RDS(on)非常低,只有29mΩ。其低电感使器件更加适合大电流同步整流插座。而且,IRF66?3TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC,因此可作为隔离式或中间DC总线转换器的原边MOSFET。IRF66?3TRPbF采用中级尺寸(MZ)DirectFET封装。

IR的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优势,并已获得专利保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能,将用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力有效增加一倍。此外,DirectFET封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。

IRF66?3TRPbF DirectFET MOSFET现已开始供货。


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