瑞萨的R2J20602NP集成驱动器MOSFET采用56引脚QFN封装

上网时间: 2006年11月30日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:R2J20602NP? 驱动器? MOSFET?

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)又推采用56引脚QFN封装,集成了一个驱动器IC和两个高端/低端功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器(VR)。

R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET(DrMOS)”封装标准(以下称作“DrMOS”)。它集成了一个驱动器IC和两个高端/低端开关电源MOSFET。R2J20602NP是瑞萨科技继第一代的R2J20601NP支后开发的第二代DrMOS标准兼容产品,也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。

R2J20602NP的特性:

  1. 40A的最大输出电流

    40A的最大输出电流——代表了业界的最高性能——采用瑞萨科技的高性能功率MOSFET技术、新开发的高辐射/低损耗封装,以及专为功率MOSFET性能而优化的高速驱动器IC。这些技术支持需要大电流的CPU、FPGA和存储器等电子元件。

  2. 与当前的瑞萨产品相比,功率损耗降低20%以上

    当工作在1MHz开关频率时,其大约为8?%的最高效率实现了业界最高水平(Vin = 12V,Vout = 1.3V)。其输出电流为25A,功率损耗为4.4W——业界的最低水平——比瑞萨当前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于实现高效的电源配置,并抑制散热量,从而开发出一个节能的最终产品。

  3. 小型封装与第一代产品引脚安排兼容

    其封装与瑞萨当前的R2J20601NP引脚安排兼容。8mm×8 mm×0.95mm的小型56引脚QFN封装适用于高速交换,有助于使用更小的外部电感器和电容器等无源元件,并可减少元件数量。这将使VR变得更小。

其他产品细节

R2J20602NP单封装设计有助于大幅度降低器件之间的布线寄生电感,使R2J20602NP适用于高频操作。瑞萨科技用在这个产品中的最新功率MOSFET可提供业界最高的性能。低端MOSFET集成了肖特基势垒二极管,可以减少开关损耗,驱动器IC专门用来优化MOSFET的通/断控制。

该封装采用无铅高辐射类型小安装面积封装,符合英特尔公司提出的DrMOS封装标准。最小的封装尺寸为8mm×8 mm×0.95mm,0.5mm引脚间距,封装内采用的是无线铜板构造(copper plate construction)内部连接,可大幅度降低阻抗。占用了封装背面大部分表面的引脚可以增加电流路径,有助于处理电流和散热问题。

新型R2J20602NP第二代DrMOS兼容产品是专门为12V输入的低电压输出应用优化的,例如,在f=1MHz,Vin=12V,和Vout=1.3V的条件下,可实现业界约8?%的最高效率水平。高速运行可使外部无源元件更小,元件数量更少,从而减小电源的尺寸。

典型应用:

  • 台式电脑、服务器等的CPU的VR

  • 高性能GPU(图形处理单元)和大电流DSP的DC-DC转换器

  • 通信等POL(负载点)转换器

    R2J20602NP的样品供货将从2006年12月在日本开始,样品价格(包括税金)为735日元。
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