无锡建成中国最大半导体合资项目,ST与Hynix共谋未来存储器市场

上网时间: 2006年12月01日? 作者:王彦? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:半导体合资?

意法半导体(ST)与韩国海力士半导体(Hynix)近日宣布,由两家公司共同出资、投资总额高达20亿美元的存储器芯片合资项目海力士-意法半导体(Hynix-ST Semiconductor)有限公司近日在无锡正式开业。据称,这是中国目前最大的晶圆制造项目,合资项目的顺利建设,将使双方在国际存储器市场享受到具有竞争力的制造成本,并且更加迅速的进入全球增长最快的中国半导体市场。

ST与Hynix两家公司于2003年4月宣布建立闪存开发战略合作伙伴关系。在经过一年多的考察和筛选后,后者在2004年8月宣布同无锡市政府达成协议,确定无锡新区为其中国新工厂的建设地点。同年11月,Hynix同ST签订在中国合作建厂的协议,并与2005年4月完成批准后举行奠基典礼。2006年8英寸厂房建设完工,5月份成功量产了第一批DRAM芯片;10月,12英寸厂房建设完工。

无锡建成中国最大半导体合资项目,ST与Hynix共谋未来存储器市场_禹义济表示,海力士-意法半导体无锡新工厂的首要任务是实现稳定的产量和产品合格率。_1

禹义济表示,海力士-意法半导体无锡新工厂的首要任务是实现稳定的产量和产品合格率。

尽管由两家公司共同出资建设,但新工厂的经营却主要由Hynix公司负责。据介绍,Hynix-ST工厂占地面积为550,000平方米,无尘洁净室达到20,000平方米,8英寸和12英寸生产线分别于2006年7月和10月开始正式量产。

目前,DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工艺。其中,90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产,而80nm晶圆则在12英寸生产线上生产。另外,除生产现有的DRAM外,两条生产线还将于2007年中期开始生产NAND闪存。

由韩国利川转来的8英寸生产线预计月产晶圆能力50,000片,12英寸生产线的月产量将达到18,000片晶圆。尽管拒绝透露双方已就利润分配和获得的芯片价格定价达成的协议内容,但Hynix董事长兼CEO禹义济和ST总裁兼CEO Carlo Bozotti仍然表示,双方将根据各自的产权比重来分配产能。据悉,目前ST和Hynix在整个投资中所占的比例为1:2。

“无锡晶圆厂的建成将加快ST在NAND市场的前进步伐,并同时还将为嵌入式系统厂商提供能够与闪存叠装在一起的高性能的、具有成本竞争力的DRAM芯片。”Bozotti指出,“双方将在技术上实现优势互补:ST将能够获得具有成本竞争力的DRAM产品,同时与Hynix合作开发NAND产品将进一步加强我们在封装级集成市场的领先地位——在同一个封装内叠装多个存储器芯片。利用两种技术的融合,不仅可以提高存储器的密度以及设备的可靠性,同时还能大大节省手机等消费电子以及工业应用的电路板空间。”

市场调研公司iSuppli预计今年DRAM市场的增幅将达到24.4%,营业收入将达到309亿美元,2006年NAND市场增幅将会达到17%,营业收入将达到126亿美元。中国是世界增长最快的半导体市场,目前中国市场占全球市场约15%。据市场调研机构的预测,中国在2008年前将会成为世界最大的半导体市场,市场份额占全球半导体市场的四分之一以上。另外,iSupply的最新数据显示,Hynix已经占据了47%的中国DRAM市场份额,位居市场第一。

“如何满足中国市场的巨大需求一直是我们考虑的重点,在当地建立工厂是解决问题的关键。”禹义济表示,“今后,Hynix在中国市场销售的存储器将主要在无锡制造。”他还指出,由于无锡是自由出口加工区,新工厂还会作为该公司除了美国尤金工厂的另外一个全球制造基地。至此,Hynix的全球布局已增至5处。而除了无锡工厂,台湾茂德科技以及位于韩国利川工厂也都有一条12英寸的生产线。毫无疑问,这将有助于扩大Hynix在12英寸生产线上的产能,进一步确立其在中国市场的领导地位。

“无锡工厂刚刚竣工,我们首要的任务是实现稳定的产量和产品合格率。至于有无扩大投资的计划,将会根据具体需求在必要时同ST通过协议或者谈判来决定。”禹义济说。Hynix-ST还创造了同类工厂建设工期最短的纪录。据称,一般情况下晶圆项目的工厂建设至少需要两年左右的时间。他表示:“我们确实遇到了很多困难,曾经一度还出现建设滞后于计划的现象。但是在各方合作伙伴的积极配合下,整个工期仅花费了一年多的时间。”另外,禹义济也承认,Hynix正面临着韩国利川本部剩余土地不足、扩产受到影响的问题。对于是否会因此加大在中国的投资,他表示两者没有任何关系,“并不是在韩国不行就会来到中国,我们有自己的判断原则。”

尽管如此,人们还是担心新工厂的建设速度是否跟得上闪存价格下滑的速度。Bozotti指出,Hynix将DRAM和NAND摆在了同等重要的位置,而对于ST来说,新工厂的作用主要是降低嵌入式、特别是无线产品等领域的闪存成本。“过去三年中,尽管市场价格在持续下跌,但是通过采用MLC(多级单元)等工艺,我们证明了能够跟上市场和价格变化的需求——即使价格下跌也依然保持优势。”他说。

“ST希望能够成为所从事领域的主要领导者,特别是手持式产品的一站式供应商。”Bozotti表示,“因此,整合与Hynix的战略性合作伙伴关系和拓展亚洲市场是我们两个同等重要的公司战略。前者可以帮助我们缩短产品上市时间,同时分担研发与制造成本。另外,我们在亚洲的业务已经超过公司营业总额的20%以上。此间工厂将在ST未来进一步拓展中国市场的过程中变得非常重要。”

作者:王彦
标签 NAND?? DRAM??

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