CMOS图像传感器继续向小面积低功耗方向前行
上网时间: 2006年08月01日? 作者:鲁思奇? 我来评论 【字号: 大 ?中 ?小】
为了获得质量更高的照片,CMOS图像传感器制造商正在努力开发能够与CCD技术媲美的图像传感器,以面向主流大批量的可拍照手机市场。开发者还致力于缩小图像传感器的占板面积和降低功耗,使之适合新一代超薄手机应用并使之更容易集成,同时保持性能和照片质量。在1/4英寸光学格式领域,安华高科技(Avago Technologies)年初的时候推出了适用于相机手机的130万像素CMOS图像传感器,提高了此类器件的性价比水平。该款型号为ADCC-3000的图像传感器采用增强型像素结构和成像管道技术,据称照片质量大大高于现有的用于手机的百万像素级传感器。最近安华高科技又推出一款1/4英寸光学格式、200万像素的CMOS图像传感器ADCC-4050。该传感器可使超薄型拍照手机具有自动变焦功能,每秒撷取高达30帧的高分辨率视频图像(800×600像素),同时可以输出与数码相机相同画质的图像。ADCC-4050同样采用了该公司的增强型像素架构。据该公司介绍,这种像素设计具有许多优点,包括改善了光线较暗条件下的灵敏度。ADCC-4050是少数能够轻松放入目前业内最小且最薄摄像模块(8×8×5mm)的200万像素传感器之一。此外,安华高科技还在对其产品继续进行改进,这将使用户和相机模块厂商受益。其中包括坏点修正和色彩变异修正,前者用于改善照片质量并提高制造商的产品合格率,后者用于改善相机模块合格率,以提高各相机模块之间的色彩一致性。与此同时,美光和OmniVision也推出了1/4英寸的200万像素CMOS图像传感器,据称可以捕捉画质更高的数码照片。美光表示,它的MT9D112图像传感器具有更小的外形尺寸,不仅能使主流相机手机捕捉画质更高的数码照片,而且首次把移动产业处理器接口(MIPI)标准用于图像传感器,使得相机更容易被集成到手机之中。MIPI为移动应用处理器接口定义了开放式的规格。OmniVision公司则推出了在单芯片上实现全集成自动聚焦功能的1/4英寸、200万像素的摄像芯片OV26?8,从而构成面积为10mm×10mm的微型、高度先进的单片自动聚焦摄像模块。据称比竞争对手的方案要小30%。通过采用OmniPixel2架构,OV26?5据说具有高灵敏度,优异的低光照性能和先进的图像信号处理器区块(OmniQSP)。OmniQSP提供高级照片处理和其它通常只有数码相机才具备的功能。意法半导体(ST)最近为移动应用推出了单片130万像素(SXGA)相机子系统,在同一个微型封装内集成一个CMOS传感器和数字图像处理器及模拟系统功能,利用ST先进的3微米像素设计,VS6624相机模块集成一个1/3.7英寸光学格式传感器和一个1280×1024(SXGA)的有源像素阵列。它采用 8×8×6mm小光学封装(SmOP2), 内嵌无源组件,进一步缩小了占板面积。 此外,OmniVision还推出了堆叠裸片的CameraChip解决方案OV3630DZL。OV3630DZL是一个速成解决方案,可使手机设计人员在不需要改变其机械设计的条件下将相机手机从200万像素升级到300万像素。OV3630DZL是一种基于堆叠裸片结构的相机模块,采用1/3.2英寸光学格式,尺寸为9×9×7mm,专为需要极低功耗的手机而设计。 在高端领域,针对高分辨率相机手机以及数码相机和混合式相机应用,OmniVision最近推出了它的第二代500万像素相机芯片,据称显著改善了视频功能和图像质量。该公司表示,由于采用了2.2微米OmniPixel2架构,它还缩小了OV5620 CMOS图像传感器的总体尺寸。这种架构可以实现业内最小的像素尺寸之一,而且在明暗环境下都具有较好的性能。作者:鲁思奇
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CMOS:互补性氧化金属半导体CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别,主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带?电) 和 P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。然而,CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。
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