Saifun展示每单元四位闪存,制造更为简单

上网时间: 2005年12月09日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:NROM? 闪存?

IEEE国际电子器件会议(IEDM)日前在华盛顿举行,以色列Saifun Semiconductors Ltd.的首席执行官Boaz Eitan在会上展示了该公司的Quad NROM技术。该公司声称,这是第一种能够每单元存储四位的闪存技术(four-bits-per-cell flash)。

Saifun从1998年开始就提供每单元可存储两位的NROM技术授权。该公司表示,Quad NROM把存储容量提高了一倍,而且架构比较简单,需要的制造环节较少。Quad-NROM单元在单元的每端需要单独的阈值电压。它使用软件和纠错技术,以改善编程速度和避免位错。

此外,Quad NROM技术使最困难的制造环节减少了40%,从而提高了产品良率、质量和生产能力。但Saifun公司没有说这是与什么技术比较得到的结果。

该公司表示,该种闪存适合用于生产多芯片产品(multi-chip product),因为多芯片产品中的任何一个裸片出现故障,都意味着内存子系统可能必须报废。

Saifun多年来一直在开发非易失性内存技术,并提供这些技术的授权。它提供授权的公司包括英飞凌(Infineon Technologies AG)和Spansion。11月,Saifun在美国纳斯达克成功IPO,上市第一天收盘上涨近50%。

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