英飞凌的低导通阻抗MOSFET开关速度高达150V/ns

上网时间: 2005年07月29日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:英飞凌? 高压功率MOSFET? 高端电源?

英飞凌(Infineon)公司的CoolMOS CS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限,其TO-220封装的导通阻抗为99mW,TO-247封装的导通阻抗为45mW,可承受600V电压。它们的开关速度为150V/ns,允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

为实现低阻抗,电荷加在器件上实现电流传导,然后加反极性的等量电荷平衡,两种电荷在器件上隔离,并提供很细的间距,以此保证获得较低的导通电阻。由于需要的栅极驱动功率低,因而可使用低功率栅极驱动器和IC。

这种MOSFET现可提供,10,000只采购时,单价不超过4欧元(仅供参考)。


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