Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ

上网时间: 2005年07月11日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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日前,Vishay公司推出五款新型P通道负载开关,这些是业界首款能够以1.5V栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件,而且导通电阻(RDS)低至45mΩ。凭借低阈值电压以及确保可在1.5V栅极驱动电压下运行的规范,这些新型器件使设计人员无需使用电平转换电路,并且最大程度地实现了电池供电系统中低工作电压的省电优势。Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ_ESMCOL_1

这五款功率MOSFET中的两款采用LITTLE FOOT TSOP-6封装的器件,它们分别具有20V (Si3495DV)和-8V(Si3499DV)漏极到源极击穿电压,在栅极驱动电压为1.5V时,导通电阻分别为47mΩ和45mΩ。

另外三款器件是-8V的Si8419DB、Si5499DC和Si1499DH,它们分别采用MICRO FOOT、1206-8 ChipFET和SC-70 封装。如同新型LITTLE FOOT器件一样,这三款器件的额定栅极电压均为1.5V,这些器件有助于缩小占位面积,可实现更灵活的终端系统设计。

上述P通道负载开关的样品和量产批量生产均可提供,大宗订单的供货周期为12周。100,000片订购,美国发运的起始单价为25美分(仅供参考)。


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