Diodes发布新型封装平台及系列分立器件

上网时间: 2005年05月23日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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Diodes公司发布了DFN封装平台和一系列新的分立器件。这种封装平台采用先进的无铅方形扁平无引线(QFN)技术,可超越SOD和SOT封装,达到最高的封装密度。这种封装的功率密度接近325mW/mm2,而SOT-23和SOD-123封装的功率密度仅分别为30mW/mm2和65mW/mm2,其高度为0.53mm,而SOT-23和SOD-123封装则分别为1.1mm和1.35mm。并且,这种封装的PCB占位面积仅0.77mm2,而SOT-23和SOD-123封装则分别为9.9mm2和7.6mm2

DFN 1006-2和DFN 1006-3封装分别可用于两引脚和三引脚的器件。此外,该公司尚在开发可用于阵列的6引脚和8引脚QFN平台。

随DFN封装平台,Diodes公司还发布了多种分立器件,包括四种肖特基二极管和电压为5.6V到24V的一系列齐纳二极管。该公司还计划采用无铅QFN封装技术来封装其开关二极管和NPN/PNP晶体管。

这种无铅封装设计有助于器件更加有效地散热。因而其肖特基二极管和齐纳二极管的功率耗散均可达到250wW,比面积更大的表面贴装器件的散热效率更高。

该公司采用这种新型DFN封装的肖特基二极管的型号包括BAS40LP、BAT54LP、SDM10U45LP和SDM20U30LP,而齐纳二极管的型号则包括BZT52C5V6LP、BZT52C6V2LP、BZT52C6V8LP、BZT52C7V5LP、BZT52C8V2LP、BZT52C9V1LP、BZT52C10LP、BZT52C11LP、BZT52C12LP、BZT52C13LP、BZT52C15LP、BZT52C16LP、BZT52C18LP、BZT52C20LP、BZT52C22LP和BZT52C24LP。

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相关信息
  • Diodes Inc
  • Diodes Inc.成立于1966年,是美国Nasdaq上市企业,为敦南科技转投资企业,是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居全球领先地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商,服务市场主要面向电子消费品、计算、通讯、工业和汽车制造业。
    Diodes公司的产品主要包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护设备、针对特定功能的阵列以及包括DC-DC切换和线性稳压器、放大器和比较器、霍尔效应传感器在内的电源管理设备。

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