ST瞄准3G手机发布256Mb NOR型闪存

上网时间: 2005年04月26日? 我来评论 【字号: ? ?小】

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意法半导体(ST)公司日前发布了256Mb的NOR型闪存芯片。该器件采用每单元(cell) 2位架构,能在更小的裸片中提高内存密度。ST的M30L0R8000x0是每单元2位系列的首款产品,目前ST也正在研发128Mbit与512Mbit的芯片。

这款256Mbit的闪存是专为执行高效能程序代码与数据存储而设计,特别是新一代3G手机市场,这类产品日趋复杂的应用和多功能特性,都要求在更小的尺寸中集成更多内存。而每单元2位架构则能使内存芯片阵列的容量加倍,从而大幅减少裸片与封装尺寸。M30L0R8000x0采用ST先进的0.13微米工艺技术,并使用精巧的芯片TFBGA88封装,尺寸仅8×10mm,间距0.8mm。该组件可操作在1.8V供给电源下,并适用于3V I/O,其低功耗特性非常适合新一代手机的设计。

M30L0R8000T0/B0现已量产,单价10美元(仅供参考)。

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