预期串行闪存将取代并行闪存,SST计划提高产量

上网时间: 2005年02月06日? 我来评论 【字号: ? ?小】

关键字:SST? 超捷半导体?

无晶圆厂闪存开发商超捷半导体(SST)日前表示,计划通过与宏力半导体(Grace Semiconductor)、精工爱普生(Seiko Epson)和台积电的合同提高生产串行闪存(serial flash)的能力。

SST表示,2005年全球串行闪存需求量将超过5亿个。SST援引市场调研公司Web-Feet Research的首席执行官Alan Niebel的话称,2006年串行闪存需求量将增长一个数量级。

SST表示,光盘驱动器和硬盘驱动器、LCD显示器和LCD电视,以及MP3播放机的微型驱动器,将推动对于串行非易失性内存的需求。SST计划增加512-Kb至16-Mb串行闪存的产量。

“多年以来,SST一直推动产业由并行转向串行闪存。串行闪存的优点是可以减少电路板空间、降低功耗和系统成本。看来大量客户正向这种更先进的技术迁移。”Niebel表示,“预计2006年串行闪存需求量将增长一个数量级。”SST的总裁兼首席执行官叶炳辉(Bing Yeh)表示:“我们预期2005年将是串行闪存产品的分水岭,我们相信,SST已做好准备。”

同样预期串行非易失存储器将取代并行的非易失性存储器,无晶圆芯片公司Saifun Semiconductor Ltd.也扩张了其串行EEPROM存储器。

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